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周桂林

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:中山大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 7个广东省
11 条 记 录,以下是 1-10
刘扬
供职机构:中山大学
研究主题:GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张佰君
供职机构:中山大学
研究主题:GAN 光电极 衬底 半导体发光器件 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈震
供职机构:中山大学电子与信息工程学院
研究主题:阈值电压 栅极 MOSFET GAN 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑越
供职机构:中山大学电子与信息工程学院
研究主题:GAN MOSFET 稳定性 氮化镓 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构:中山大学
研究主题:FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帆
供职机构:中山大学电子与信息工程学院
研究主题:MOSFET GAN 表面态 施主 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金城
供职机构:中山大学
研究主题:GAN MOSFET MI 氮化镓 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟健
供职机构:中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
研究主题:MOSFET GAN 场效应管 SI衬底 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敖金平
供职机构:德岛大学
研究主题:GAN MOSFET 氮化镓 截止频率 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王硕
供职机构:中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
研究主题:场板结构 材料特性 表面态 MOSFET HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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