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王素琴

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙海锋
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS_HBT 异质结双极晶体管 INGAP/GAAS ALIGNED 氮化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
狄浩成
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS LOW INGAP ALIGNED SW
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑丽萍
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT GAAS 自对准 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁志鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS_HBT HBT 光调制器驱动电路 INGAP/GAAS 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪民
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:CMOS/SOI 静态随机存储器 INGAP/GAAS_HBT 锗 SOI工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊宇伟
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP INGAP/GAAS GAAS_HBT 功率管 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓娟
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:HEMT ALGAN/GAN KU波段 ALGAN/GAN_HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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