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葛惟锟

作品数：15 被引量：26H指数：3
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韩和相
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李国华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许继宗
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建农
供职机构：香港科技大学
研究主题：3C-SIC 薄层 碳化硅 砷化镓 SI衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 INGAAS/GAAS GAAS 量子点 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁琨
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 量子点 微晶硅薄膜 光谱研究 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方再利
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 静压 量子点 碲 TE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪兆平
供职机构：上海交通大学
研究主题：光致发光 超晶格 光致发光研究 喇曼散射 静压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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