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王建农: 作品数：19 被引量：55H指数：3; 供职机构：香港科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金香港特区政府研究资助局资助项目国家攀登计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

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Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析被引量：1: 1999年; 采用热丝化学气相淀积生长法，在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功．生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为１８００～２０００℃，碳化和生长时衬底温度低于１０００℃．用Ｘ射线衍射，变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数．Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征，变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６。; 雷天民陈治明陈治明余明斌马剑平王建农; 关键词：碳化硅薄层光学常数

Fabrication and Characteristics of a Si-Based Single Electron Transistor被引量：3: 2002年; Si based single electron transistor (SET) is fabricated successfully on p type SIMOX substrate,based on electron beam (EB) lithography,reactive ion etching (RIE) and thermal oxidation.In particular,using thermal oxidation and etching off the oxide layer,a one dimensional Si quantum wire can be converted into several quantum dots inside quantum wire in connection with the source and drain regions.The differential conductance (d I ds /d V ds ) oscillations and the Coulomb staircases in the source drain current ( I ds ) are shown clearly dependent on the source drain voltage at 5 3K.The I ds V gs (gate voltage) oscillations are observed from the I ds V gs characteristics as a function of V gs at different temperatures and various values of V ds .For a SET whose total capacitance is about 9 16aF,the I ds V gs oscillations can be observed at 77K.; 卢刚陈治明王建农葛惟昆

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析被引量：2: 1998年; 采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６，光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比，其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。; 雷天民胡宝宏王建农王建农陈治明马剑平; 关键词：碳化硅薄层淀积 HFCVD

CdSe四脚状纳米晶粒的光荧光研究: 2011年; 采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒。高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成。研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发现低温时四脚晶粒的光荧光主要来自于被表面缺陷所局域的激子的辐射复合,而随着温度升高,束缚激子被热激发,室温时光荧光主要来自于自由激子的贡献。CdSe纳米量子点的退局域化温度比四脚纳米晶粒的高,而12K时CdSe纳米量子点的局域化能量比四脚纳米晶粒的也大得多,并对这一现象作了解释。; 赵莉娟陆爱江庞起葛惟昆王建农; 关键词：局域化高产率

自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展被引量：1: 2007年; 文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验,介绍在自旋-轨道耦合的体系中,如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流,又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化.实验结果表明,自旋轨道耦合不但给我们提供了对自旋的操控手段,而且还给我们提供了用非磁性材料且无外加磁场条件下作为自旋源的新途径.; 杨春雷王建农葛惟锟崔利杰曾一平; 关键词：自旋轨道耦合

反胶束法合成Cd_(1-x)Mn_xS量子点及其发光性能研究被引量：6: 2004年; 应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8～ 6nm,随 wo 值增大而增大 .电子能谱 ( EDS)测定结果表明 ,Mn2 +离子在量子点中的摩尔分数为 1 .5 % .由电子自旋共振 ( ESR)分析确定一部分 Mn2 + 离子取代 Cd2 + 离子位置而位于晶格 ,另一部分 Mn2 +离子位于 Cd1 - x Mnx S的表面或间隙位置 .吸收光谱显示 ,随着量子点变小 ,吸收带边发生蓝移 ,显示明显的量子尺寸效应 .光致荧光光谱分析表明 ,发光峰属于 Mn2 + 的 4 T1 -6 A1 跃迁 ,而且随着ωo 和粒径的增大 ,发光峰从 2 .2 6,2 .1 0 ,2 .0 5 e V红移到 1 .88e V;其发光峰偏离 2 .1 2 e V,主要是由于 Mn2 + 离子位于扭曲的四面体晶体场所致 .; 庞起郭必成王建农杨世和王玉琦葛惟昆龚孟濂; 关键词：量子点稀磁半导体反胶束光致荧光

GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量：8: 2003年; 用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .; 罗向东边历峰徐仲英罗海林王玉琦王建农葛惟琨; 关键词：单量子阱砷化镓分子束外延生长

六方碳化硅中的深能级缺陷被引量：3: 2004年; 文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验测试的相关图谱 ,作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据 .; 凌志聪陈旭东冯汉源C.D.Beling龚敏四川大学物理学院葛惟锟王建农G.BrauerW.AnwandW.Skorupa; 关键词：能级湮灭氦离子正电子电子辐照 PL

3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光被引量：2: 2001年; 采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以 CH4 +Si H4 +H2 混合气体为生长源气 ,在 Si衬底上生长 3 C-Si C晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理 ,并对退火前后的样品进行了光荧光 ( PL)分析。结果显示 ,未经退火处理的样品其 PL谱为一覆盖整个可见光区域的展宽发光谱线 ,主峰位置在 52 0 nm附近 ;经快速退火处理后样品的 PL谱在 450 nm位置附近出现了又一较强峰 ,再经慢速退火处理后此峰基本消失 ,但室温 PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给 3 C-Si C晶体薄膜造成应力损伤。; 雷天民陈治明马剑平王建农胡宝宏; 关键词：退火光荧光半导体薄膜

氮化物异质结光电探测器: 本发明涉及一种光电探测器，该探测器具有一种金属‑异质结‑金属的结构；所述异质结构会产生自发的极化电场，使得受到光照而生成的载流子在空间上分离，并按照金属电极的电压偏置选择性地传送到金属电极；该探测器可以实现其光生载流子的...; 王建农唐曦李百奎

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