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申志辉

作品数：11 被引量：29H指数：3
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
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罗木昌
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：3C-SIC SI衬底 日盲紫外 ALGAN P型GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周勋
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：ALGAN 高分辨X射线衍射 日盲紫外 GAN 焦平面探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳炯
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：背照式 MOCVD ALGAN 日盲紫外 X射线衍射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶嗣荣
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：ALGAN GAN 紫外图像 紫外探测器 XGA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文伯
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：ALGAN 焦平面阵列 MOCVD 超晶格 背照式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈扬
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：INGAAS 成像传感器 CMOS读出电路 ALGAN/GAN 焦平面成像
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈红兵
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD CCD器件 电荷耦合器件 CCD图像传感器 成像传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晓波
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：MOCVD 焦平面阵列 ALGAN MOCVD生长 X射线衍射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建勇
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：红外图像 非均匀性校正 非均匀性 CCD图像传感器 基于FPGA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任彬
供职机构：北京理工大学物理学院
研究主题：GAAS光电阴极 CS 功函数 电子结构 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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