周勋
- 作品数：31 被引量：67H指数：5
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：中国电子科技集团公司创新基金国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究被引量：2
- 2018年
- 结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。
- 赵文伯叶嗣荣赵红罗木昌周勋杨晓波陈扬李艳炯申志辉柳聪
- 关键词：焦平面阵列
- 高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究被引量：1
- 2014年
- 利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。
- 赵文伯许华胜申志辉叶嗣荣周勋李艳炯黄烈云
- 关键词：抑制比背照式
- 背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计被引量：5
- 2013年
- 高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。
- 赵文伯周勋李艳炯申志辉罗木昌
- 关键词：ALGAN
- 二次退火对P型GaN的应变影响
- 2008年
- 采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性。
- 周勋左长明邹泽亚廖秀英姬洪罗木昌刘挺赵红
- 关键词：GAN退火HRXRD
- GaN薄膜微结构与电学特性关系的X射线衍射表征与研究
- Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目前国际上半导体技术发展的热点。然而由于GaN材料性质特殊,高质量高性能GaN薄膜的获得存在困难...
- 周勋
- 关键词：GAN薄膜宽禁带半导体材料微结构电学性能
- 文献传递
- 压电石英亚表面损伤层分析
- 2008年
- 压电石英基片在加工过程中会带来表面/亚表面损伤,这种损伤会直接影响电子器件的性能、稳定性及寿命。该文采用扫描电镜(SEM)观测与X-射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,定量分析了36°AT切压电石英基片亚表面损伤层厚度,并探讨了亚表面损伤层的形成原因及对器件性能的影响。
- 李世岚包生祥马丽丽彭晶杜支波周勋
- 关键词：压电石英化学机械抛光
- 短波红外InGaAs焦平面探测器的技术进展被引量：9
- 2015年
- InGaAs焦平面阵列探测器是短波红外(SWIR)窗口获取目标信息的主流成像器件,具有灵敏度高、可室温工作的典型技术特征,作为一类重要的军民两用技术,在军事装备、安全防范、工业检测和空天遥感等领域需求明确,应用前景广阔。文章简述了短波红外InGaAs焦平面探测器的技术进展与主要应用概况,并对该技术的发展前景进行了展望。
- 刘军华高新江周勋
- 关键词：INGAAS短波红外焦平面
- 六角相GaN外延膜的高分辨X射线衍射分析研究
- 通过实例介绍运用高分辨 X 射线衍射分析技术对 GaN 异质外延薄膜材料的微结构进行研究,希望能获得不同缓冲层生长与优化工艺以及结构模型对其结构特性参数影响方面的信息,为 GaN 材料和器件制备者提供有用的参考．
- 姬洪周勋邹泽亚左长明
- 关键词：高分辨X射线衍射GAN材料
- 文献传递
- ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响被引量：1
- 2013年
- 对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损伤的修复作用。XPS测试结果表明,与未经刻蚀的AlGaN表面相比,ICP刻蚀之后的AlGaN表面其表面氮空位VN明显增多,且Al2p、Ga3d等峰位均向高结合能方向漂移。分析讨论发现,ICP腔室压力过小或过大均不利于获得低损伤的刻蚀表面,此外,低温热退火(380℃-200s)对表面氮空位有一定的修复作用,但修复效果较为有限。
- 周勋田坤赵文伯龙维刚
- 关键词：ICP刻蚀XPS
- 日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计被引量：2
- 2019年
- 设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。
- 申志辉罗木昌叶嗣荣樊鹏周勋
- 关键词：读出电路抗辐射加固总剂量效应
