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李志华

作品数：153 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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唐波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 介质层 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢玲
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：波导 波导结构 绝缘体上硅 介质层 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万里兮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：系统级封装 电容器 电容 信号完整性 封装结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周章渝
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：超导薄膜 MGB_2 MGB2 HPCVD MGB2超导薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宝霞
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：芯片 TSV 晶圆 基板 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨成樾
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 肖特基二极管 微波等离子体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张青竹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 叠层 纳米片 纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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