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唐波

作品数：186 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 177篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 49篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 1篇天文地球
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 70篇半导体
  • 56篇半导体器件
  • 40篇刻蚀
  • 40篇波导
  • 34篇衬底
  • 27篇光刻
  • 24篇介质层
  • 18篇探测器
  • 18篇暗电流
  • 16篇光电
  • 15篇电子束曝光
  • 15篇光子
  • 14篇叠层
  • 14篇集成度
  • 13篇埋氧层
  • 13篇绝缘体上硅
  • 13篇光栅
  • 13篇波导结
  • 13篇波导结构
  • 10篇介质材料

机构

  • 186篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇贵州大学
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇有研科技集团...

作者

  • 186篇唐波
  • 93篇李志华
  • 67篇闫江
  • 53篇许静
  • 53篇唐兆云
  • 42篇王红丽
  • 37篇谢玲
  • 26篇杨萌萌
  • 25篇李俊峰
  • 24篇李春龙
  • 22篇陈邦明
  • 20篇贺晓彬
  • 19篇王文武
  • 17篇刘金彪
  • 17篇杨涛
  • 12篇罗军
  • 7篇张青竹
  • 4篇王桂磊
  • 3篇项金娟
  • 3篇周章渝

传媒

  • 4篇微纳电子技术
  • 1篇电子科技
  • 1篇稀有金属
  • 1篇光通信研究
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 12篇2024
  • 14篇2023
  • 20篇2022
  • 36篇2021
  • 25篇2020
  • 11篇2019
  • 19篇2018
  • 5篇2017
  • 28篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
共 186 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位于第三半导体层的源漏区...
许静闫江陈邦明王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
文献传递
高性能波导集成型锗/硅水平APD
2020年
相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题。选用绝缘体上硅(SOI)晶圆片,基于0.18μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导集成水平锗/硅APD。对APD的器件参数进行了晶圆级测试,包括暗电流、光响应度以及带宽。测试结果表明,吸收区宽度为0.5μm、两侧间隔区宽度为0.8μm的器件在反偏电压-27.5 V下光响应度高达75.89 A/W,间隔区宽度为0.3μm时雪崩击穿电压低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩击穿电压附近测得3 dB带宽达20.06 GHz。
高巍高巍唐波唐波李彬杨妍申人升申人升常玉春
关键词：光电探测器
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底中形成背栅掺杂区；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔...
闫江唐兆云唐波王红丽许静徐烨锋杨萌萌李俊峰
文献传递
混合线条的制造方法
本发明提供了一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层和第一硬掩模层；B、对第一硬掩模层光刻/刻蚀形成第一硬掩模图形；C、在材料层和第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；D、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成...
唐波闫江
文献传递
硅基光电探测器的制造方法
本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部...
张鹏唐波李志华李彬刘若男
文献传递
硅基光子器件及其制造方法
本发明公开了一种硅基光子器件及其制造方法。所述硅基光子器件包括：半导体衬底；介质层，位于所述半导体衬底的上表面；加热电极，位于所述介质层的部分上表面；两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所...
张鹏唐波李志华李彬刘若男
文献传递
一种耦合光栅的制备方法
本申请公开了一种耦合光栅的制备方法，属于硅基光电子制造技术领域，解决了现有技术中耦合光栅制备过程复杂、使用光刻版数量较多、成本较高的问题。本申请的制备方法包括如下步骤：提供一SOI衬底，SOI衬底沿水平方向分为Poly‑...
张鹏唐波李志华李彬杨妍刘若男
文献传递
一种SOI硅光栅的制作方法
本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种SOI硅光栅的制作方法，包括：在SOI衬底上形成硅光栅；对所述硅光栅进行氢气退火处理，退火温度为800℃～975℃，采用该退火温度为800℃～975℃的氢气退火方式能够显著改善硅...
张鹏唐波李志华李彬刘若男
文献传递
一种集成光交叉波导的传感阵列及生化检测系统
本公开提供一种集成光交叉波导的传感阵列及生化检测系统，包括：基底；光交叉波导，沿着所述基底表面的长度方向设置，在所述光交叉波导两侧设有侧壁，该侧壁与所述光交叉波导形成多个凹槽；传感阵列，所述传感阵列包括多个谐振传感器，所...
孙富君杨妍唐波李志华谢玲
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀至少去除器件结构的栅...
唐兆云闫江徐烨锋唐波王红丽许静杨萌萌
文献传递
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