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孙海锋

作品数:17 被引量:29H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁志鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS_HBT HBT 光调制器驱动电路 INGAP/GAAS 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑丽萍
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT GAAS 自对准 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王素琴
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS 大功率 LOW INGAP/GAAS_HBT INGAP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘运龙
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化 H SOI 薄栅 快速热退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石瑞英
供职机构:四川大学物理科学与技术学院
研究主题:HBT 异质结双极晶体管 光学邻近效应 电子辐照 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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