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王庶民

作品数：69 被引量：0H指数：0
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地区

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共 50 条 记 录，以下是 1-10
李耀耀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：激光器 分子束外延 腔面 量子级联激光器 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋禹忻
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：半导体材料 分子束外延 晶格常数 锗 单片集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚谦
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：分子束外延 量子点激光器 激光器 衬底 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张立瑶
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：分子束外延 金属有机物化学气相沉积 磷化物 材料工艺 不兼容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾溢
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：分子束外延 INGAAS INP基 缓冲层 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张振普
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：锗 晶格常数 量子点 不兼容 MBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王凯
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：分子束外延 光电探测器 化合物半导体 金属有机物化学气相沉积 INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹春芳
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 量子点激光器 分子束外延 腔面 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
狄增峰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 绝缘体 衬底 锗 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘文武
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底材料 掺杂 GSMBE 铋 半导体量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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