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丁晓明

作品数:11 被引量:33H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

领域

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26 条 记 录,以下是 1-10
王佃利
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王因生
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
傅义珠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 微波 功率晶体管 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志楠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 L波段 功率管 宽带 硅脉冲功率晶体管
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盛国兴
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波 功率 大功率管 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严德圣
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 脉冲 L波段 金属-氧化物-半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李相光
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS
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刘洪军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 金属-氧化物-半导体 脉冲 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶有迁
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 L波段 峰值结温 功率管 加速寿命试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共3页<123>
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