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朱鸣

作品数:10 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

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10 条 记 录,以下是 1-10
林成鲁
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林青
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI新结构 SOI SOI器件 氮化硅薄膜 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张苗
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 绝缘体 衬底 离子注入 弛豫
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴雁军
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 吸杂 ALN薄膜 绝缘层上硅 离子束增强沉积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢欣云
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI新结构 氮化硅薄膜 SOI SOI结构 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘相华
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 离子注入 MOS器件 氧离子 EFFECTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
安正华
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:绝缘层上硅 衬底材料 锗硅 氮化铝 绝缘埋层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
狄增峰
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 绝缘体 衬底 锗 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘卫丽
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:化学机械抛光 抛光液 相变存储器 相变材料 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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