谢欣云
- 作品数：9 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- SOI新结构——SOI研究的新方向被引量：4
- 2002年
- SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件 电路的要求 ,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点 .如SOIM ,GPSOI,GeSiOI,SionAlN ,SiCOI,GeSiOI ,SSOI等 .文章将结合作者的部分工作 ,报道SOI新结构研究的新动向及其应用 .
- 谢欣云林青门传玲安正华张苗林成鲁
- 关键词：SOI新结构硅集成电路硅材料SOI
- 一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
- 2002年
- SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .
- 安正华张苗门传玲谢欣云沈勤我林成鲁
- 关键词：硅锗硅集成电路SIGESISOI结构
- 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：6
- 2003年
- 为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁
- 关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜SOI结构
- SOIM新结构与自加热效益
- 为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋...
- 谢欣云林青刘卫丽林成鲁
- 文献传递
- N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
- 2003年
- 将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。
- 林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁
- 关键词：氧离子离子注入硅片计算机模拟
- SOIM新结构的制备及其性能的研究被引量：3
- 2003年
- 制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云林青门传玲刘卫丽徐安怀林成鲁
- 关键词：氮化硅薄膜二氧化硅薄膜
- 非单一SiO<,2>埋层的SOI新结构研究
- 探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点.传统SOI结构是以SiO<,2>作为绝缘埋层,由于氧化硅的低热导率而使SOI器件/电路存在自加热效应,在SOI结构中引入新的埋层成为了解决这些问题的有效途径.该论文结合我...
- 谢欣云
- 关键词：SOI新结构SMART-CUT自加热效应
- 文献传递
- SOI的自加热效应与SOI新结构的研究被引量：4
- 2002年
- 阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。
- 林青谢欣云朱鸣张苗林成鲁
- 关键词：自加热效应沟道电流负微分迁移率SOI
- 电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究被引量：1
- 2003年
- 应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。
- 谢欣云万青林青沈勤我林成鲁
- 关键词：场发射性能电子束蒸发原子力显微镜多孔硅
