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刘洪军

作品数:10 被引量:23H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

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地区

  • 20个江苏省
20 条 记 录,以下是 1-10
王佃利
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严德圣
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 脉冲 L波段 金属-氧化物-半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李相光
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王因生
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
应贤炜
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:LDMOS 硅 微波功率晶体管 金属-氧化物-半导体 千瓦级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕勇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 微波脉冲 功率 射频功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁晓明
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛国兴
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波 功率 大功率管 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建浩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率管 L波段 GAN P波段 长脉宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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