您的位置： 专家智库 > >

苏丽娟

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇亚微米
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇微米
  • 1篇抗辐照
  • 1篇可靠性
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇光刻
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇RIE
  • 1篇VDMOS
  • 1篇氧

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇郎秀兰
  • 2篇苏丽娟
  • 1篇刘英坤
  • 1篇朱石平
  • 1篇唐明浩
  • 1篇胡顺欣
  • 1篇邓建国
  • 1篇段雪

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇第九届全国抗...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
提高抗辐照功率VDMOS栅可靠性技术研究
本文分析了当前主流半导体加工工艺中的离子注入、干法刻蚀和光刻胶灰化等工艺过程对抗辐照功率VDMOS栅氧化层产生损伤的机理,针对提高抗辐照功率VDMOS栅的可靠性进行了栅氧侧面钝化技术研究。通过对栅氧化层侧面钝化屏蔽离子注...
段雪刘英坤郎秀兰邓建国胡顺欣苏丽娟
关键词：VDMOS
文献传递
亚微米自对准工艺被引量：1
1999年
介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具有良好的可操作性和重复性。
唐明浩朱石平张大立郎秀兰吕仲志王书明苏丽娟
关键词：光刻RIE半导体器件
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0