刘玉奎
- 作品数：64 被引量：110H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>
- MOSFET衬底电流模型及参数提取
- 1999年
- 在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上，导出了其衬底电流解析模型，并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近，可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。
- 刘永强于奇刘玉奎李竞春陈勇
- 关键词：MOSFET半导体器件
- 高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法
- 本发明涉及一种高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法。该方法步骤包括：首先利用硅/硅键合、减薄抛光技术方法获得所需要的SOI片，然后在SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的介质隔离技术方法结合纵向PNP与纵向N...
- 徐世六张正元刘玉奎胡永贵税国华
- 文献传递
- 人体消化道定点遥控释药微系统
- 郑小林皮喜田侯文生彭承琳崔建国唐伟夏培元周承文吴旭东刘洪英梁学领吴小鹰刘玉奎余勇刘洋罗兰方兴郑文浩吴西段铭
- 消化道定点遥控释药微系统由定点施药电子胶囊、遥控装置、定位跟踪装置三部分组成，实现了人体消化道内无创定点施药，在体积等参数方面略优于国外同类产品。项目已经完成了关键技术的实用化，申请了多项专利，授权发明专利3项，获得了医...
- 关键词：
- 关键词：药物吸收微机电系统
- 不同基区Ge组分分布对SiGe HBT特性的影响被引量：3
- 2013年
- 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210K～410K范围内对SiGe HBT特性的影响。借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大。提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1%,56.4%和58.7%,扩大了器件的应用领域。
- 张志华刘玉奎谭开洲崔伟申均张静
- 关键词：SIGEHBT电流增益截止频率
- 一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
- 2006年
- 报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.
- 谭开洲冯建刘勇徐世六杨谟华李肇基张正璠刘玉奎何开全
- 关键词：硅片键合
- 一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
- 2008年
- 利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.
- 谭开洲胡刚毅杨谟华徐世六张正璠刘玉奎何开全钟怡
- 关键词：亚阈值电流X射线辐射电离辐射
- 铬硅薄膜电阻的退火工艺条件研究被引量：2
- 2010年
- 分析了CrSi薄膜电阻阻值的变化机理,并以此作为理论指导,开展退火工艺条件对铬硅薄膜电阻稳定性影响的实验,得到优化的退火工艺条件,可以使铬硅薄膜电阻的温度系数减小到±0.0001℃左右,大大提高了铬硅薄膜电阻的稳定性。
- 姚瑞楠刘玉奎崔伟
- 关键词：半导体工艺温度系数
- 用于双极电路ESD保护的SCR结构设计失效分析被引量：3
- 2010年
- 针对目前双极电路的ESD保护需求,引入SCR结构对芯片进行双极电路ESD保护。通过一次流片测试,发现加入SCR结构的电路芯片失效,SCR结构的I-V特性曲线未达到要求。从设计问题和工艺偏差两方面入手,分析了失效原因,通过模拟仿真,验证了失效是因为在版图设计时为节省版图面积,将结构P阱中NEMIT扩散区域边上用来箝位的电极开孔去掉造成的,并非工艺偏差导致的。通过二次流片测试,验证了失效原因分析的正确性,SCR器件结构抗ESD电压大于6kV,很好地满足了设计要求。
- 冯筱佳刘玉奎朱坤峰
- 关键词：双极电路静电保护可控硅整流器
- EM-5009B激光图形发生器光栏的修正方法
- 2005年
- 激光图形发生器是半导体掩膜制版的主要设备之一,它具有精度高、结构复杂、操作简单和生产效率高等特点,但是,其光栏精度对加工的版图精度有很大的影响。文章根据光栏的结构原理和实际应用,详细阐述了EM-5009B激光图形发生器光栏的修正方法。
- 邓建国刘玉奎印子华邹昭伟
- 关键词：半导体设备激光图形发生器
- 100nm P型超浅结制作工艺研究被引量：1
- 2010年
- 介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。
- 鲜文佳刘玉奎
- 关键词：超浅结离子注入快速热退火沟道效应
