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作者

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传媒

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年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高压LDMOS总剂量辐射效应研究被引量:8
2015年
在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDMOS进行总剂量辐射效应研究.实验表明,总剂量辐射会造成LDMOS的阈值电压漂移,以及N沟道直栅LDMOS的较大漏电流.同时也观察和记录到总剂量辐射导致P沟道直栅LDMOS的漏电.环栅加固方法能有效抑制总剂量辐射引起的N沟道直栅LDMOS的边缘漏电.在100krad(Si)辐照剂量时,N沟道环栅LDMOS和P沟道直栅LDMOS的阈值电压漂移分别为0.02V和-0.02V.
王丹辉赵元富岳素格边强莫艳图
关键词:LDMOS总剂量辐射阈值电压漂移
一种快速精确查找逻辑电路失效位置的方法
2008年
提出了一种快速、精确查找组合逻辑电路失效位置的方法。这种方法对高辐射电路的可靠性评估很有意义。这种方法是通过对电路失效原理的分析,以及对失效概率的估计,来查找组合电路的失效位置。整个查找过程在Matlab平台上实现,用ISCAS’85基准电路进行实验,所有电路均采用0.18μm标准CMOS工艺。结果表明,相对HSPICE随机仿真的方法,这种方法的速度提高了将近49倍,而且准确率达到94.7%。
莫艳图岳素格
关键词:组合逻辑
一种用于开关电源的多模式振荡器被引量:4
2017年
基于0.25μm BCD工艺,设计了一种应用于开关电源的多模式环形振荡器,具有结构简单、三种模式可选、可修调的特点。电路通过模式切换生成可调电流的方式对电容充放电,产生不同频率的斜坡及方波信号。测试结果表明:在-40℃~125℃温度范围内,振荡器主振荡模式输出范围为483.9~518.6kHz,与固定频率(500kHz)的最大偏移率为3.72%,电阻频率调节模式输出范围为25kHz^2.5 MHz,同步模式下可调同步频率范围为40kHz^4 MHz。目前,该振荡器已被成功应用于一种DC-DC开关电源芯片中。
李卓岳素格莫艳图宋奎鑫初飞
关键词:多模式
共1页<1>
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