岳素格
- 作品数：26 被引量：72H指数：5
- 供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现被引量：1
- 2014年
- 提出了一种基于NIOS II的异步SRAM单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论.
- 郑宏超岳素格董攀陈莉明陈茂鑫
- 关键词：单粒子翻转嵌入式系统可编程逻辑门阵列
- CMOS图像传感器的硬复位电路研究被引量：12
- 2014年
- 像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分，其特性直接影响着图像的质量．本文对CMOSAPS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析，并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法．在本文中，设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路，一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换，另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现，两种方案各具特点，分别适用不同的应用要求．仿真结果表明，两种电路方案均能够使动态范围提高2—3dB，增强像素抗饱和能力，同时消除了图像滞后与弱光下的非线性．
- 晋孝峰岳素格刘丽艳陈淼赵岳王春芳
- 关键词：CMOS图像传感器动态范围抗饱和非线性
- 基于库替换技术的单粒子效应故障注入仿真被引量：6
- 2009年
- 提出了一种新的故障注入仿真方法,研发了故障单元库替换仿真工艺库技术,与以往方法相比,该技术可以方便快速地在目标电路的所有节点上注入故障来模拟SEE,因而更贴近实际物理过程,仿真结果可以得到所有节点的敏感度信息并评价电路总体抗SEE性能,供初期芯片设计人员参考改进.同时利用C#程序和FPGA硬件加速仿真,使得故障注入更加便捷高效,注入速度达到了8.03μs/fault.
- 郑宏超范隆岳素格刘立全
- 关键词：FPGA仿真SEE
- 晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究被引量：4
- 2014年
- 通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在PMOS和NMOS器件中的不同机理,对单粒子瞬态加固设计具有指导性意义.
- 赵馨远张晓晨王亮岳素格
- 关键词：单粒子瞬态脉冲
- 一种用于低压降稳压器频率补偿的压控电流源被引量：2
- 2006年
- 利用小信号压控电流源(VCCS)电路产生所需零点,是一种先进的低压降稳压器(LDO)频率补偿方法。文章分析了VCCS频率补偿方法的原理和VCCS电路对LDO的瞬态响应及电源抑制(PSR)特性的改善作用,并提出了一种新的VCCS电路结构。该电路结构功耗低、占用面积小,在直到5 MHz的频率范围内,都有近乎理想的性能。采用这种结构的VCCS电路,基于0.5μm CMOS工艺,设计的一款300 mV压降,2.5 V输出电压,最大100 mA输出电流的LDO电路,具有很好的频率响应、瞬态响应和电源抑制特性。该LDO电路所用全部片上电容的总值不到1pF。
- 边强严祖树赵元富岳素格
- 关键词：压控电流源低压降稳压器频率补偿瞬态响应电源抑制
- 一种新型的无电阻实现的带隙电压基准源被引量：2
- 2008年
- 设计了一种新的采用0．35μm全数字工艺实现的无电阻的带隙基准电压源。该电路结构引入了差分放大器，以此来产生正比于温度的电压量，同时放大器减小了电路中由电源电压及温度变化所产生的镜像电流的误差，进一步提高了电路电源抑制比，降低了无电阻基准电压源的温度系数。Spice仿真结果表明，该电路结构具有较高的电源抑制比和低的温度系数：在电源电压从2．4V变化到5．0V时，输出电压波动小于9mV；在-25℃～125℃温度变化范围内，电压输出的最大变化量为±5．5mV。
- 赵玉姣岳素格边强
- 关键词：差分放大器
- VSIA IP标准简介被引量：1
- 2005年
- 肖立伊岳素格谢学军
- 关键词：系统芯片专用集成电路
- 一种改善CMOS图像传感器性能的复位控制电路设计被引量：1
- 2013年
- 像素复位控制电路是CMOS图像传感器的重要组成部分,其特性直接影响着图像的质量.为了改善传统复位控制电路对CMOS图像传感器性能的影响,设计了一种基于CMOS图像传感器的双斜率积分复位与软硬结合复位原理的高性能复位控制电路.通过该控制电路可以实现双斜率积分复位、软硬结合复位以及独立的硬复位与软复位方式.可以根据应用条件,进行动态范围的扩展或低噪声无图像滞后的复位.
- 晋孝峰岳素格刘丽艳赵岳王春芳
- 关键词：CMOS图像传感器
- DA器件的瞬态效应研究被引量：1
- 2013年
- 主要对国内某款抗辐射加固DA器件进行了单粒子瞬态效应的试验研究.被测器件在加速器上采用不同的粒子进行辐照,同时在真空罐外利用一款高速示波器对DA器件的输出端进行监测,一旦发现瞬态脉冲即捕获并保存.试验发现随着辐照粒子LET的升高,DA器件的瞬态效应越明显,发生的次数也越多,产生的瞬态脉冲的脉宽也不断增大.
- 陈莉明范隆岳素格郑宏超董攀马建华杜守刚
- 关键词：DA示波器脉宽
- 0.18μm工艺下单粒子加固锁存器的设计与仿真被引量：10
- 2007年
- 在近年国际上出现的两种记忆单元DICE(Dual Interlocked storagecell)和GDICE(DICE with guardgates)基础上,设计了两种抗单粒子加固锁存器,称为DICE锁存器和GDICE锁存器,加工工艺为0.18μm。对这两种锁存器的改进减少了晶体管数量,降低了功耗,增强了抗单粒子瞬态(single event transient,SET)能力。分别对比了两种锁存器的优缺点。建立了一种单粒子瞬态仿真模型,将该模型连接到锁存器的敏感点,仿真测试了这两种锁存器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,得到一些对版图设计有意义的建议。通过比较得知:如果没有特殊版图设计,在单个敏感点被打翻时,DICE锁存器和GDICE锁存器的抗单粒子翻转能力比较强;而在两个敏感点同时被打翻时,抗单粒子翻转能力将比较弱。但如果考虑了特殊版图设计,那么这两种锁存器抗单粒子翻转的优秀能力就能体现出来。
- 李玉红赵元富岳素格梁国朕林任
- 关键词：单粒子锁存器低功耗敏感点
