张广涵
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院超导电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 超导铌结电路原型样品的制备与研究
- 姚晓栋曹春海张广涵翟计全吴培亨
- Nb/Al-AlO_x/Nb超导隧道结的制备被引量：1
- 2015年
- 在高阻硅衬底上采用光刻、直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等方法研究制备了高质量的Nb/Al-Al Ox/Nb超导隧道结。在4.2K下,测量了直径8μm的圆形结样品,得到临界电流密度约为1.6k A/cm2,漏电流约为50μA。制结工艺流程的重复性较好。
- 姚晓栋曹春海张广涵翟计全康琳许伟伟陈健吴培亨
- 关键词：超导隧道结
- Al/AlO_x/Al隧道结简化制备技术
- 2015年
- 研究了一种在高阻硅衬底上Al/Al Ox/Al超导隧道结简化制备技术。通过一次光刻镀膜完成隧道结结区的确定和上引线的制备,工艺流程简单重复。在0.3K温度下测量了隧道结样品的I-V特性,能隙电压Vg为0.37m V,超导临界电流密度约为12A/cm2。
- 张广涵曹春海翟计全姚晓栋李永超陈健康琳许伟伟吴培亨
- 关键词：隧道结
- Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究
- 2013年
- 研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流I c为55nA,漏电流为5nA。
- 房玉荣曹春海许钦印王林张广涵姚晓栋许伟伟孙国柱吴培亨
- 关键词：ALAL超导隧道结
- Al/AlOx/Al超导隧道结制备
- 由于全铝结两字比特电路具有较长的消相干时间,用它来构建超导量子计算电路成为研究热点.我们研究了在高阻硅衬底上Al/AlOx/Al隧道结的制备技术.采用电子束蒸发技术原位制备Al/Al-AlOx/Al三层材料;采用光刻技术...
- 房玉荣曹春海许钦印张广涵姚晓栋孙国柱许伟伟吴培亨
