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曹春海

作品数：63 被引量：63H指数：5
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇会议论文
  • 21篇期刊文章
  • 7篇专利

领域

  • 23篇电子电信
  • 10篇理学
  • 8篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 23篇超导
  • 15篇隧道结
  • 9篇AL
  • 7篇NB
  • 7篇超导薄膜
  • 7篇超导隧道结
  • 5篇量子
  • 5篇ALO
  • 5篇X
  • 4篇直流偏置
  • 4篇输出端
  • 4篇输出端口
  • 4篇输入输出
  • 4篇输入输出端
  • 4篇输入输出端口
  • 4篇太赫兹
  • 4篇偏置
  • 4篇阻抗匹配
  • 4篇溅射
  • 4篇赫兹

机构

  • 45篇南京大学
  • 10篇南京电子器件...
  • 2篇电子科技大学
  • 1篇南京工程学院

作者

  • 52篇曹春海
  • 36篇吴培亨
  • 34篇许伟伟
  • 24篇陈健
  • 23篇康琳
  • 14篇孙国柱
  • 10篇金飚兵
  • 9篇许钦印
  • 6篇卢亚鹏
  • 6篇张蜡宝
  • 5篇李梦月
  • 5篇吉争鸣
  • 5篇翟计全
  • 5篇姚晓栋
  • 5篇张广涵
  • 4篇焦刚
  • 4篇房玉荣
  • 4篇赵清源
  • 4篇郏涛
  • 3篇张彩虹

传媒

  • 10篇低温与超导
  • 7篇第十一届全国...
  • 3篇科学通报
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇第十一届全国...
  • 2篇Journa...
  • 2篇第七届全国超...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇第八届全国超...
  • 1篇第九届全国超...
  • 1篇第三届中国国...
  • 1篇第十届全国超...
  • 1篇第五届全国超...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 9篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铌基超导隧道结直接检测器制备研究
超导隧道结是超导电子学的核心单元，高质量隧道结的制备技术对超导电子学的发展带来深刻的影响。在超导直接检测器的研究中，高质量超导隧道结是实验研究的关键。开展了超导太赫兹直接检测器的制备研究，重点研究了高品质的Nb/Al-A...
王海萍曹春海刘奥谱康琳许伟伟陈健吴培亨
关键词：超导隧道结太赫兹
超导量子比特中铝超导隧道结的性能被引量：2
2011年
超导隧道结约瑟夫森结是超导量子比特的基本元件.用双层光刻胶构成悬空掩模,用电子束斜蒸发的方法制备Al/Al2O3/Al隧道结,用一定的氧气气压氧化铝膜作为势垒层.势垒层质量直接影响铝超导隧道结的各项电学参数.深入研究了铝超导隧道结的超导临界电流密度Jc和面积归一化电阻Rc(正常态电阻RN与结面积的乘积)与势垒层生长条件的关系,通过改变势垒层生长的氧分压与氧化时间来控制铝超导隧道结的Jc和Rc,以使此工艺所制备的铝隧道结漏电流小,结参数易于控制,满足制备超导量子比特的要求.
沈丹丹朱冉许伟伟常俊杰吉争鸣孙国柱曹春海陈健
关键词：隧道结电子束蒸发超导量子比特
非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT被引量：14
2004年
报道了研制的 Al Ga N / Ga N微波功率 HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂 Al Ga N/ Ga N异质结构 ,器件工艺采用了 Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和 Ni/ Au肖特基势垒接触以及 Si N介质进行器件的钝化 .研制的 2 0 0μm栅宽 T型布局 Al Ga N / Ga N HEMT在 1.8GHz,Vds=30 V时输出功率为 2 8.93d Bm,输出功率密度达到 3.9W/mm ,功率增益为 15 .5 9d B,功率附加效率 (PAE)为 4 8.3% .在 6 .2 GHz,Vds=2 5 V时该器件输出功率为 2 7.0 6 d Bm ,输出功率密度为 2 .5 W/ mm ,功率增益为 10 .2 4 d B,PAE为 35 .2 % .
陈堂胜焦刚薛舫时曹春海李拂晓
关键词：宽禁带半导体ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
欧姆接触电阻率的精确测量方法被引量：5
2005年
分析了一般测量接触电阻率的TLM模型以及“端电阻”修正模型的缺点,提出了一种新的接触电阻率的测试方法。此方法模型精确,常规测试条件下容易得到误差小于1%的相关测试量的值,使接触电阻率的测试误差小于5%。
曹春海
关键词：传输线模型接触电阻率测量方法
超导HEB混频器的设计与制备被引量：1
2009年
展示了一种基于超导NbN薄膜材料的HEB混频器的设计与制备工艺,详细介绍了高阻硅衬底上的超薄NbN薄膜的生长技术、HEB器件的结构、超导微桥区和平面等角螺旋天线的阻抗匹配等内容.测量研究了超导NbN HEB的电阻-温度(R-T)曲线、不同温度下的电流-电压(I-V)曲线以及HEB对太赫兹(THz)信号的响应特性.用Y因子方法测量了HEB器件的噪声温度,在2.5THz的太赫兹波辐照下,其最低噪声温度为2213K.
王金平康琳王玉钟杨音梁敏陈健曹春海许伟伟吴培亨
关键词：平面等角螺旋天线噪声温度
金属/n型AlGaN欧姆接触被引量：12
2002年
用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测得欧姆接触电阻率达 1.6× 10 - 4Ω· cm2 .经 X射线衍射分析 ,Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面固相反应得出在 5 0 0℃以上退火过程中 ,Al Ga N层中 N原子向外扩散 ,在 Al Ga N表面附近形成 n型重掺杂层 ,导致欧姆接触电阻率下降 ;随退火温度的升高 ,N原子外扩散加剧 ,到 80 0℃以上退火在 Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面形成 Ti2 N相 。
周慧梅沈波周玉刚刘杰郑泽伟钱悦张荣施毅郑有炓曹春海焦刚陈堂胜
关键词：欧姆接触界面固相反应金属
超导纳米线单光子探测器被引量：9
2011年
利用磁控溅射、电子束光刻和反应离子刻蚀等微加工技术,开展了超导纳米线单光子探测器(SNSPD)的研究.通过对SNSPD的设计和制备工艺参数的优化,成功制备出了高质量的SNSPD.单光子检测实验表明,制备的SNSPD对660nm波长的光信号,系统检测效率可达30%,对1550nm波长光信号,最大系统检测效率为4.2%.在平均暗计数小于10c/s的情况下,系统检测效率大于20%(660nm)和3%(1550nm).
张蜡宝康琳陈健赵清源郏涛许伟伟曹春海金飚兵吴培亨
关键词：单光子纳米线探测器
Nb/AlOx-Al/Nb超导隧道结制备氧化工艺与特性研究
2012年
提出一种氧的等离子氧化的方法改善结区边缘绝缘性能,降低超导隧道结的漏电流。对Al膜进行等离子氧化能够有效的改善氧化膜的绝缘性能,AES分析表明:氧化绝缘层均匀,界面清晰;应用此方法成功制备出较好性能的Nb隧道结。
卢亚鹏曹春海李梦月许钦印肖伟房玉荣许伟伟康琳陈健吴培亨
关键词：超导隧道结阳极氧化
铁电压控谐振器的研究
研究了单端加载铁电叉指电容的微带半波长谐振器的压控特性.铁电材料为LaAlO3衬底上脉冲激光淀积的SrTiO3,叉指电容电极为金.测量了谐振器77K下的压控谐振性能.谐振频率在6GHz左右,70V偏压下的压控频率范围大于...
曹春海徐筱乐何世明周建明刘兴钊王烨李言容李拂晓
关键词：铁电材料微波谐振器
文献传递
直流磁控溅射制备TiN超导薄膜
TiN薄膜制备的超导谐振器与铝膜谐振器相比,在低场下具有更高的无载品质因子,因而可用于超导量子比特样品的实验研究,提高其消相干时间.针对这一特性及应用要求,我们采用直流磁控溅射方法,在室温下开展了TiN薄膜的制备研究.在...
陈志平曹春海李永超孙国柱陶旭康琳许伟伟陈健吴培亨
关键词：TIN薄膜直流磁控溅射
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