杨子健
- 作品数：6 被引量：14H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 基于CMOS工艺的硅基PI湿度传感器的研制
- 2009年
- 在国内外湿度传感器研究的基础上,基于Si CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺(PI)为感湿介质的电容型相对湿度传感器。并对其结构进行了理论分析,仔细确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计。对其测量范围、湿滞和响应时间等特性参数进行了详细的测试。通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见,以便在今后的研究中加强这方面的工作。
- 杨子健韦波王敬松崔千红杨建红
- 关键词：湿度传感器聚酰亚胺CMOS工艺
- 聚酰亚胺电容式湿度传感器的制备工艺研究被引量：5
- 2009年
- 改变传统丝网印刷制作电极的方法,采用正胶反刻、干湿结合的CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺为感湿介质的相对电容式湿度传感器。并对其结构进行了理论分析,确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计。对其测量范围、湿滞和响应时间进行了测试。通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见。
- 杨子健韦波王敬松崔千红杨建红
- 关键词：湿度传感器电容CMOS工艺
- 基于CMOS制造工艺的电容型湿度传感器被引量：1
- 2009年
- 设计了一种基于CMOS制造工艺的电容型湿度传感器,详细讲述了制作过程。通过引入平行板电容模型和水分子吸附模型研究了其工作机理,通过实验对其湿容特性、响应特性、湿滞等参数做了测试与分析。制作过程中的难点在于聚酰胺酸膜的亚胺化以及聚酰亚胺的光刻工艺。
- 韦波杨子健王劲松杨建红
- 关键词：湿度传感器CMOS工艺等温吸附线
- CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能被引量：5
- 2009年
- 以正胶光刻和干湿刻蚀方法,结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器。研究了硅基、钼–铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响。结果表明:相对湿度(RH)为20%～80%发生准静态变化时,该传感器的湿度–电容曲线具有较好的线性度;外界相对湿度在12%和92%间发生阶跃变化时,响应时间约为40s。
- 崔千红杨子健韦波杨建红
- 关键词：湿度传感器电容型聚酰亚胺CMOS工艺
- 掺杂氧化钒薄膜的制备及其热光特性被引量：2
- 2008年
- 以石英片为基底材料,采用直流/射频磁控共溅射方法制备了掺Al和掺Ti的氧化钒薄膜,重点探索了用这种方法制备掺杂氧化钒薄膜的工艺条件,对所制备的氧化钒薄膜进行了热光性能测试,并利用能带理论对测试结果进行分析。实验及测试结果表明,在氧化钒薄膜中掺入Ti杂质与掺入Al杂质相比,对薄膜的热光性质的改变所起的作用更为明显。增大Ti杂质的含量对薄膜的电阻-温度特性、相变温度,以及相变滞豫区的改善比较明显,但提高了薄膜的相变温度,而掺Al引起的变化规律与此相反。
- 杨爱国杨子健杨建红冯浩李冠斌崔敬忠
- 关键词：氧化钒薄膜磁控溅射掺钛
- 掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质被引量：1
- 2009年
- 以石英片为基底,采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺Al、掺Ti的VO2薄膜。对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱等光电性能测试。结果分析表明,Al元素可以提高薄膜相变温度及Ti元素可以有效提高相变前后电阻率变化幅度,并且用半导体能带理论对VO2薄膜光电性质改变的原因及掺杂对其造成的影响予以解释,提出了影响相变滞豫的原因及改善方法。最后对磁控共溅射沉积方法制备掺杂薄膜的工艺方法提出了改进。
- 杨子健杨爱国杨建红冯浩李冠斌崔敬忠
- 关键词：二氧化钒薄膜磁控共溅射掺杂光电特性
