崔千红
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
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- 基于CMOS工艺的硅基PI湿度传感器的研制
- 2009年
- 在国内外湿度传感器研究的基础上,基于Si CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺(PI)为感湿介质的电容型相对湿度传感器。并对其结构进行了理论分析,仔细确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计。对其测量范围、湿滞和响应时间等特性参数进行了详细的测试。通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见,以便在今后的研究中加强这方面的工作。
- 杨子健韦波王敬松崔千红杨建红
- 关键词：湿度传感器聚酰亚胺CMOS工艺
- 聚酰亚胺电容式湿度传感器的制备工艺研究被引量：5
- 2009年
- 改变传统丝网印刷制作电极的方法,采用正胶反刻、干湿结合的CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺为感湿介质的相对电容式湿度传感器。并对其结构进行了理论分析,确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计。对其测量范围、湿滞和响应时间进行了测试。通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见。
- 杨子健韦波王敬松崔千红杨建红
- 关键词：湿度传感器电容CMOS工艺
- 聚酰亚胺电容型湿度传感器的研制
- 湿度的测量不仅应用于日常生活，在工业生产、医疗、农业、气象分析、航天航空等领域也有广泛应用。随着科技的发展，湿度传感器正在从简单的湿敏元件向智能化、集成化、多参数检测方向改进，使用集成电路制造技术制备的湿度传感器具有价格...
- 崔千红
- 关键词：聚酰亚胺湿度传感器集成电路电极结构
- 文献传递
- CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能被引量：5
- 2009年
- 以正胶光刻和干湿刻蚀方法,结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器。研究了硅基、钼–铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响。结果表明:相对湿度(RH)为20%～80%发生准静态变化时,该传感器的湿度–电容曲线具有较好的线性度;外界相对湿度在12%和92%间发生阶跃变化时,响应时间约为40s。
- 崔千红杨子健韦波杨建红
- 关键词：湿度传感器电容型聚酰亚胺CMOS工艺
