王金芳
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：西北工业大学基础研究基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- ZnSe亚微米管的制备及形成机制被引量：1
- 2014年
- 采用牺牲Zn基片上ZnO纳米柱模板技术,以三乙醇胺（TEA）为溶剂,以HSe-离子为硒源,在150℃恒温8h制备了ZnSe亚微米管。采用FESEM、EDS、XRD、TEM及SAED手段对样品的形貌、结构及成分进行了表征。结果表明,多晶管状ZnSe的直径为150nm左右,且具有封口、规则开口、不规则开口以及呈半管状,管壁由直径约30～40nm左右的颗粒组成。据此形貌特征,依负离子多面体生长基元模型,分析了ZnSe亚微米管的形成机制。
- 刘长友王金芳孙晓燕介万奇
- 关键词：硒化锌氧化锌
- Zn基柱状ZnO取向生长机制被引量：2
- 2013年
- 通过预氧化处理在Zn基底上制备了ZnO颗粒膜,并由N2H4.H2O-水热体系制备了Zn基柱状ZnO阵列。实验发现,在Zn单一晶体学取向表面上柱状ZnO高度有序排列,据此提出了Zn基柱状ZnO的自由生长取向机制。水热反应条件下,ZnO微晶通常具有沿c轴优先生长的结晶习性,柱状体高度有序排列取决于ZnO晶核的状态。单一晶体学取向表面上晶核的状态一致,决定了ZnO柱状体取向一致。Zn基柱状ZnO阵列光致发光谱分析表明,在30～60 K之间,近带边激子发射峰强度呈现反常温度依赖的"负热淬灭"现象,该过程包含了两个无辐射过程和一个负热淬灭过程。
- 刘长友王金芳孙晓燕王泽温介万奇
- 关键词：氧化锌光致发光
- Zn基ZnO纳米棒阵列的制备和发光特性被引量：2
- 2012年
- N2H4.H2O水热体系中,在Zn基底上制备出了ZnO纳米棒薄膜。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)及发致发光谱(PL)等分析测试手段,研究了ZnO薄膜的形貌结构和发光特性。结果表明,预处理工艺不同,Zn基底表面状态不同,ZnO薄膜形貌也不同。在经预氧化形核的Zn基底上易于制备ZnO纳米棒薄膜。在单一取向的Zn基面上,易于制备ZnO纳米棒阵列。PL测试分析表明,ZnO纳米棒有强的近带边紫外光发射峰和弱的缺陷发射峰。阵列棒本征发射峰强度最高、缺陷峰最弱,反映了该ZnO纳米棒结晶质量高。
- 王金芳孙晓燕刘长友介万奇
- 关键词：预处理ZNO纳米棒发光特性
- Zn基ZnSe纳米管阵列的制备
- 自从ZnO纳米材料以其丰富多彩的结构走入人们的视线以来,各种利用ZnO纳米结构的设想与研究应运而生。相比于ZnO纳米结构的制备和功能应用,ZnO一维结构的"模板"作用还没有引起业界足够的重视,即以ZnO纳米棒一维结构为模...
- 刘长友王金芳孙晓燕介万奇
- 文献传递
- 水热法制备Si基片状ZnO微晶薄膜
- 2012年
- 采用真空蒸镀法在Si(100)基底上制备了六角片状Zn微晶薄膜,并由N2H4·H2O-水热体系制备了Si基片状ZnO微晶薄膜。XRD、SEM及EDS测试与分析结果表明,纤锌矿结构片状ZnO微晶长度约1μm、厚度约100nm,几乎垂直于Si基面,且在基面上随机组合成连续薄膜。联系室温Si基Zn微晶薄膜氧化物形貌,以"氢氧化锌脱水"反应解释了Si基片状ZnO微晶薄膜的生长机制。光致发光谱测试分析表明,ZnO微晶薄膜有强的近带边紫外光发射和弱的缺陷发射。
- 刘长友王金芳孙晓燕介万奇
- 关键词：ZNO硅基底
