王泽温
- 作品数：12 被引量：18H指数：2
- 供职机构：西安理工大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
- Zn基柱状ZnO取向生长机制被引量：2
- 2013年
- 通过预氧化处理在Zn基底上制备了ZnO颗粒膜,并由N2H4.H2O-水热体系制备了Zn基柱状ZnO阵列。实验发现,在Zn单一晶体学取向表面上柱状ZnO高度有序排列,据此提出了Zn基柱状ZnO的自由生长取向机制。水热反应条件下,ZnO微晶通常具有沿c轴优先生长的结晶习性,柱状体高度有序排列取决于ZnO晶核的状态。单一晶体学取向表面上晶核的状态一致,决定了ZnO柱状体取向一致。Zn基柱状ZnO阵列光致发光谱分析表明,在30～60 K之间,近带边激子发射峰强度呈现反常温度依赖的"负热淬灭"现象,该过程包含了两个无辐射过程和一个负热淬灭过程。
- 刘长友王金芳孙晓燕王泽温介万奇
- 关键词：氧化锌光致发光
- 基于铝诱导结晶的多晶硅薄膜材料结构优化被引量：2
- 2009年
- 基于铝诱导结晶化(AIC)方法,研究了不同溅射材料结构对多晶硅薄膜形成过程和材料特性的影响.首先利用射频溅射Si和直流溅射Al的方法,分别在普通玻璃衬底上沉积Si/Al/Glass,Al/Si/Glass,Si/Al/L/Si/Al/Glass三种不同结构的薄膜材料.采用相同的低温退火(500℃)工艺,对上述薄膜进行了多组时间下的退火Al诱导结晶处理.对退火处理后的样品去除表面多余Al之后进行了X射线衍射、电子显微镜表面观察和霍耳迁移率测试,分析其晶体质量特性和电学特性.结果表明,在足够长时间下,3种结构均可成功实现AIC多晶硅薄膜,其中采用多重周期性结构的薄膜结晶速度最快,并得到更优的结晶效果.
- 王泽温熊兵张李冲罗毅
- 关键词：多晶硅薄膜材料结构溅射
- 稀磁半导体Hg/_（1-x）Mn/_xTe的晶体生长及性能表征
- Hg/_/(1-x/)Mn/_xTe是由二价磁性离子Mn~/(2+/)部分取代HgTe晶格中的Hg~/(2+/)形成的三元稀磁半导体。零磁场时，Hg/_/(1-x/)Mn/_xTe的电子能带结构及其它半导体性质/(包括禁...
- 王泽温
- 关键词：载流子浓度磁化强度
- 文献传递
- 粘结磁体的制备工艺及性能研究——橡胶磁体的研究
- 与烧结磁体比较，粘结磁体具有优异的成形与加工性能，因此近年来引起了人们广泛的关注。但目前我国粘结磁体的生产，无论是设备还是原料在很大程度上依靠进口。本文利用国产原料及设备，制备出橡胶粘结磁体.通过对磁粉及粘结磁体断口形貌...
- 王泽温
- 关键词：添加剂力学性能
- 文献传递
- Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的测量及分析
- 2006年
- 采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型。通过理论分析对此现象进行了解释。分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因。对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量。
- 王泽温介万奇李宇杰谷智
- 关键词：导电类型
- 稀磁半导体Hg_(0.89)Mn_(0.11)Te磁化强度及磁化率的研究被引量：5
- 2007年
- 利用MPMS-7(magneticpropertymeasurementsystem)型超导量子磁强计对垂直布里奇曼法生长的Hg0.89Mn0.11Te晶片磁化强度变化规律进行了测量.试验采用了两种不同的外场和冷却条件.首先在5K恒温下,-5200到5200kA/m范围内改变磁场强度进行了测定.然后维持800kA/m恒定磁场,分别在有场冷却和无场冷却条件下,从5到300K范围内改变温度,研究了变温条件下的磁化特性.并采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对磁化强度随磁场强度变化的实验结果进行拟合和分析,结果表明,Mn2+离子之间存在反铁磁相互作用.磁化率和温度关系分析表明:在测试范围内Hg0.89Mn0.11Te是单一的顺磁相,在高温区磁化率和温度服从居里-万斯定律,呈线性关系,低于40K时,磁化率和温度的关系偏离居里-万斯定律,表现出顺磁增强现象.
- 王泽温介万奇
- 关键词：TE磁化强度磁化率
- 表面损伤层对Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的影响被引量：1
- 2007年
- 采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右。化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%。本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释。
- 王泽温介万奇李培森谷智刘长友李强查钢强汪晓芹
- 关键词：电学参数
- 金属/Hg_(1-x)Mn_xTe接触的I-V特性研究
- 2007年
- 分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155cI-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F∶10%H2O2∶H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析。结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV。钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%。随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小。
- 王泽温介万奇
- 关键词：欧姆接触肖特基接触
- CuW合金触头的耐磨性被引量：1
- 2002年
- 本文研究了含钨 5 0 wt%、6 0 wt%、70 wt%和 80 wt%的 Cu
- 王泽温王强范志康
- 关键词：绝缘材料六氟化硫断路器触头耐磨性
- 铁氧体压延粘结磁体的制备及性能被引量：1
- 2006年
- 利用国产原料制备了压延取向粘结铁氧体磁体。采用塑料邵氏硬度实验方法和塑料拉伸实验方法对粘结磁体的硬度、抗拉强度和伸长率进行了测试,用DGY-2型多功能永磁测量仪测量了磁体的磁性能,并用扫描电镜对磁粉颗粒及粘结磁体拉伸断口形貌进行观察研究。结果表明,所制备的各向同性和各向异性粘结磁体分别达到或超过国际标准中牌号Hardferrite7/18p和Hardferrite9/17p的性能水平。为了生产出高性能的铁氧体粘结磁体,国产磁粉的细磨工艺还需进一步改进。
- 介军王泽温范志康
- 关键词：压延成型断口形貌磁性能
