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李文波

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：大连理工大学电子信息与电气工程学部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子回旋共振
  • 1篇氧化膜
  • 1篇碳化硅
  • 1篇经时击穿
  • 1篇SI
  • 1篇CM

机构

  • 1篇大连理工大学

作者

  • 1篇秦福文
  • 1篇王德君
  • 1篇刘冰冰
  • 1篇汤斌
  • 1篇李文波
  • 1篇刘道森

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响
2015年
SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析氮等离子体处理8min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。
汤斌李文波刘冰冰刘道森秦福文王德君
关键词：碳化硅
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共1页<1>
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