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刘冰冰

作品数：15 被引量：11H指数：2
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅资助项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信理学经济管理文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇社会学
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇非平衡磁控溅...
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 4篇脉冲
  • 4篇高功率脉冲
  • 4篇高功率
  • 3篇态密度
  • 3篇碳化硅
  • 3篇气相沉积
  • 3篇脉冲功率
  • 3篇界面态
  • 3篇界面态密度
  • 3篇溅射
  • 3篇氢
  • 3篇CRNX薄膜
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇等离子体
  • 2篇热蒸发
  • 2篇经时击穿

机构

  • 15篇大连理工大学

作者

  • 15篇刘冰冰
  • 6篇牟宗信
  • 6篇王春
  • 5篇董闯
  • 5篇牟晓东
  • 4篇臧海荣
  • 4篇王德君
  • 3篇秦福文
  • 2篇汤斌
  • 1篇刘沙沙
  • 1篇贾莉
  • 1篇丁安邦
  • 1篇朱巧智
  • 1篇林曲
  • 1篇臧海蓉
  • 1篇王晓琳
  • 1篇李文波
  • 1篇刘道森

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇核技术
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇2010全国...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2005
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
本发明涉及半导体器件性能改进技术领域，一种降低SiCMOS界面态密度的表面预处理方法，包括以下步骤：1、采用公知的RCA方法清洗、烘干SiC表面，2、采用氢氮混合等离子体对氧化前的SiC表面进行处理，3、热氧化生长SiO...
王德君刘冰冰秦褔文
文献传递
基于Web的电子政务系统研究及其实现
本论文参考我国电子政务标准技术参考模型,首先通过研究分析我国现有电子政务系统的问题和需求,重点分析了应用层标准技术参考模型,并论述了应用层的技术体系.在标准技术参考模型的基础上,对安全与保密问题提出具体的解决方案,同时提...
刘冰冰
关键词：电子政务公文流转ASPADO系统安全
文献传递
氢氮等离子体表面预处理改善SiO2/SiC界面特性
C半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,使其在高温、高频、大功率器件领域具有极大的应用潜力.然而在实际制备中,SiO2/SiC界面存在高密度界面态(Dit),严重影响器件的电学性...
刘冰冰秦福文王德君
关键词：碳化硅半导体二氧化硅
SiC MOS器件界面特性的ECR等离子体SiC表面改性研究
SiC半导体具有禁带宽度高、临界击穿电场大、热导率高和电子饱和速度高等优异的物理特性，是功率器件领域中Si半导体材料的首选“继承者”。SiC MOSFETs具有导通电阻低、输入阻抗高、开关速度快、阻断电压高的特点，是一类...
刘冰冰
关键词：表面钝化碳化硅
氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究被引量：2
2013年
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69eV。使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底EC0.05～0.6eV范围内的界面态分布,其中距EC0.2eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1。实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性。
刘沙沙秦福文朱巧智刘冰冰汤斌王德君
关键词：界面态密度
电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响
2015年
SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析氮等离子体处理8min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。
汤斌李文波刘冰冰刘道森秦福文王德君
关键词：碳化硅
高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrNx薄膜及其性能的研究
高功率脉冲磁控溅射技术（HPPMS）由于具有溅射粒子离化率高,可以沉积致密、高性能薄膜,作为一种新技术已经在国外广泛研究。本文采用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术（HPPUMS）制备了一系列CrN薄膜,采用原子力显微镜（AF...
牟晓东牟宗信王春臧海荣刘冰冰董闯
关键词：气相沉积脉冲功率
文献传递
DF公司绩效管理案例研究
绩效管理是现代人力资源管理理论中的一大独立模块，而且一直被看作为人力资源管理的核心和关键所在。在知识经济时代，企业的生存和发展靠的是人才，最大限度的挖掘人才潜能，提升人才素质可以增强企业实力，让其在激烈的市场竞争中立于不...
刘冰冰
关键词：绩效管理人力资源管理
文献传递
中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能(英文)被引量：2
2011年
本文采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在不同氮气流量比例的条件下制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、椭偏仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的微观结构、表面形貌、沉积速率、折射率的影响。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态氮化硅。随着氮气流量比率的增加,Si-N键红外光谱吸收带向低波数漂移,薄膜的沉积速率降低,表面结构更为光滑致密,氮化硅薄膜的折射率降低。薄膜的硬度和杨氏模量分别达到22和220GPa左右。
王春牟宗信刘冰冰臧海荣牟晓东
关键词：氮化硅薄膜折射率磁控溅射红外光谱
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
本发明涉及半导体器件性能改进技术领域，一种降低SiC？MOS界面态密度的表面预处理方法，包括以下步骤：1、采用公知的RCA方法清洗、烘干SiC表面，2、采用氢氮混合等离子体对氧化前的SiC表面进行处理，3、热氧化生长Si...
王德君刘冰冰秦褔文
文献传递
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