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王轶伦

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:常州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺冶金工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电极
  • 1篇电极性能
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇压痕
  • 1篇应力
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元模拟
  • 1篇透明电极
  • 1篇弯曲应力
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压痕
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇晶向
  • 1篇激光
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能

机构

  • 2篇常州大学
  • 1篇江苏大学
  • 1篇常州工程职业...
  • 1篇新誉集团有限...

作者

  • 2篇王轶伦
  • 1篇丁建宁
  • 1篇李保家
  • 1篇袁宁一
  • 1篇姜存华
  • 1篇李双双
  • 1篇陈潇

传媒

  • 1篇机械工程材料
  • 1篇电镀与涂饰

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
不同晶粒尺寸和晶向分布多晶硅片弯曲应力的有限元模拟被引量:1
2017年
采用光致发光晶向识别技术分辨多晶硅片晶向的分布情况,通过纳米压痕试验测试多晶硅片在不同晶向上的弹性模量;然后利用有限元方法建立包含晶粒尺寸和晶向分布信息的多晶硅片有限元模型,将纳米压痕试验测得的不同晶向的弹性模量带入此模型,模拟得到了不同晶粒尺寸和晶向分布下多晶硅片的弯曲应力,最后通过三点弯曲试验对模拟结果进行了验证。结果表明:多晶硅片在不同晶向上的弹性模量和硬度不同;晶向分布会影响多晶硅片的最大弯曲应力和最大挠度的位置,晶粒形状会影响多晶硅片的最大弯曲应力;减小晶粒尺寸可以降低多晶硅片的最大弯曲应力;三点弯曲试验验证了所建模型的正确性。
王轶伦丁建宁袁宁一姜存华陈潇
关键词:多晶硅晶粒尺寸弯曲应力纳米压痕
基于超快激光定域去除的Cu/Ag复合金属网格透明电极性能优化研究
2024年
[目的]Ag网格透明电极方块电阻低,但反射率高。[方法]在钠钙玻璃基底表面利用等离子射频磁控溅射沉积Cu/Ag复合金属薄膜,然后采用飞秒脉冲激光定域去除金属层,获得Cu/Ag复合金属网格透明电极。分析了激光能量密度、激光扫描速率和激光扫描线重叠率对电极材料去除的影响机制。[结果]在激光能量密度1.4 J/cm^(2)、激光扫描速率300 mm/s和激光扫描线重叠率70%的工艺参数下获得了综合光电性能最为出色的Cu/Ag复合金属网格透明电极,其平均透光率为87.58%,方块电阻为2.15Ω,品质因子为1.235×10^(-1)Ω^(-1)。[结论]该电极的综合性能与传统商用ITO(掺锡氧化铟)透明电极相比有巨大提升。
王轶伦李双双李保家
关键词:超快激光透明电极光电性能
共1页<1>
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