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程钊
作品数:
16
被引量:7
H指数:1
供职机构:
中国科学院金属研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
中国博士后科学基金
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
一般工业技术
化学工程
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合作作者
卢磊
中国科学院金属研究所
金帅
中国科学院金属研究所
潘庆松
中国科学院金属研究所
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机构
16篇
中国科学院金...
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中国科学技术...
作者
16篇
卢磊
16篇
程钊
10篇
金帅
1篇
潘庆松
传媒
3篇
金属学报
年份
1篇
2024
4篇
2023
3篇
2022
3篇
2021
1篇
2020
1篇
2019
2篇
2018
1篇
2016
共
16
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一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体
本发明是关于一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体,涉及电解铜箔制备技术领域。主要采用的技术方案为:一种纳米孪晶铜箔,在纳米孪晶铜箔的微观结构中:晶粒呈不规则形状,且晶粒的长轴和短轴的比值大于1、小于等于8;其...
卢磊
程钊
陈祥成
文献传递
一种高延伸性电解铜箔及其制备方法
本发明公开了一种高延伸性电解铜箔以及制备方法,属于覆铜板用电解铜箔制备技术领域。首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔,再对纳米孪晶铜箔进行退火处理,即获得所述高延伸性电解铜箔,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该...
卢磊
程钊
金帅
一种电解金属箔的制备装置及制备方法
本发明关于一种电解金属箔的制备装置及制备方法,其中,所述电解金属箔的制备装置包括:电解槽、阴极系统、阳极系统及绝缘隔板;其中,阴极系统包括旋转装置和阴极;阴极位于电解槽中;旋转装置与阴极连接,以在电解沉积过程中驱动阴极旋...
卢磊
程钊
陈祥成
一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体
本发明是关于一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体,主要采用的技术方案为:所述铜箔的微观结构为层状结构;其中,所述层状结构中的任意相邻的两个层之间存在界面;其中,在平行于所述界面的方向上:所述层状结构中的每一层包括...
卢磊
程钊
陈祥成
一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法
本发明公开了一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法,属于纳米结构金属材料技术领域。该材料采用直流电解沉积技术制备,微观结构由微米级的柱状晶粒组成,柱状晶粒内存在纳米级的孪晶片层;在垂直于沉积面的方向上晶粒尺寸、孪...
卢磊
程钊
金帅
文献传递
一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体
本发明是关于一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体,涉及电解铜箔制备技术领域。主要采用的技术方案为:一种纳米孪晶铜箔,在纳米孪晶铜箔的微观结构中:晶粒呈不规则形状,且晶粒的长轴和短轴的比值大于1、小于等于8;其...
卢磊
程钊
陈祥成
组元占比对层状纳米孪晶Cu力学行为的影响
被引量:1
2023年
利用直流电解沉积制备了表层为硬组元、芯部为软组元的3种层状纳米孪晶(LNT)Cu样品,其中软组元占比分别为10%、50%和90%。研究发现:随软组元占比增加,拉伸屈服强度由425 MPa下降至262 MPa,均匀延伸率由5.7%增加至17%。3种LNT Cu的屈服强度均高于利用混合法则计算的平均强度,即表现出明显的额外强化。当组元占比为50%时,LNT Cu在变形过程中的应变局域化被很好地抑制,组元间应变差较小且相互约束作用强,额外强化效应最明显。
万涛
程钊
卢磊
一种纳米孪晶铜箔及其制备方法
本发明公开了一种纳米孪晶铜箔及其制备方法,属于电解铜箔制备技术领域。该铜箔利用直流电解沉积技术制备得到,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该铜箔内部微观结构由柱状晶粒组成,自下而上,柱状晶粒尺寸由纳米量级逐渐增加到微...
卢磊
程钊
金帅
文献传递
一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体
本发明是关于一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体,主要采用的技术方案为:所述铜箔的微观结构为层状结构;其中,所述层状结构中的任意相邻的两个层之间存在界面;其中,在平行于所述界面的方向上:所述层状结构中的每一层包括...
卢磊
程钊
陈祥成
一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法
本发明公开了一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法,属于纳米结构金属材料技术领域。该材料采用直流电解沉积技术制备,微观结构由微米级的柱状晶粒组成,柱状晶粒内存在纳米级的孪晶片层;在垂直于沉积面的方向上晶粒尺寸、孪...
卢磊
程钊
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