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卢磊

作品数:62 被引量:336H指数:8
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技部专项基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺电子电信理学更多>>

文献类型

  • 30篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 23篇一般工业技术
  • 22篇金属学及工艺
  • 6篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇化学工程
  • 1篇冶金工程

主题

  • 42篇纳米
  • 40篇孪晶
  • 28篇纳米孪晶
  • 16篇金属
  • 12篇CU
  • 11篇电解
  • 11篇
  • 10篇电解沉积
  • 10篇位错
  • 10篇金属材料
  • 10篇晶粒
  • 8篇铜箔
  • 8篇纳米晶
  • 8篇尺寸
  • 7篇塑性
  • 7篇力学性能
  • 7篇纳米晶体
  • 7篇晶体
  • 7篇力学性
  • 6篇导电

机构

  • 62篇中国科学院金...
  • 4篇中国科学技术...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇国家自然科学...

作者

  • 62篇卢磊
  • 18篇卢柯
  • 16篇程钊
  • 13篇金帅
  • 12篇潘庆松
  • 7篇斯晓
  • 6篇申勇峰
  • 5篇隋曼龄
  • 5篇陶乃镕
  • 3篇卢秋虹
  • 3篇陈先华
  • 3篇尤泽升
  • 2篇李守新
  • 2篇钱立华
  • 2篇郭小龙
  • 1篇丁丙哲
  • 1篇曲绍兴
  • 1篇陶乃熔
  • 1篇卢何
  • 1篇车成卫

传媒

  • 15篇金属学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇物理
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇中国基础科学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇第16届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 5篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 4篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1997
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体
本发明是关于一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体,涉及电解铜箔制备技术领域。主要采用的技术方案为:一种纳米孪晶铜箔,在纳米孪晶铜箔的微观结构中:晶粒呈不规则形状,且晶粒的长轴和短轴的比值大于1、小于等于8;其...
卢磊程钊陈祥成
文献传递
一种高延伸性电解铜箔及其制备方法
本发明公开了一种高延伸性电解铜箔以及制备方法,属于覆铜板用电解铜箔制备技术领域。首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔,再对纳米孪晶铜箔进行退火处理,即获得所述高延伸性电解铜箔,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该...
卢磊程钊金帅
纳米压痕法测量Cu的室温蠕变速率敏感指数被引量:28
2001年
介绍一种测量室温蠕变速率敏感指数m的新方法,即通过纳米压痕仪精确测量压头的压入位移h和材料的硬度值来计算m值.用该法分别测得单晶Cu(123)压痕蠕变的m的平均值约为0.0045;多晶Cu和纳米晶Cu晶粒尺寸为30nm)的m的平均值分别为0.007和0.0094.压痕蠕变曲线与传统的单轴蠕变曲线十分相似;室温m的平均值与加载条件无关,而由材料的微观结构决定.
陈吉汪伟卢磊卢柯
关键词:纳米压痕
孪晶对多晶铜疲劳行为的影响被引量:4
2004年
对含有高密度孪晶的多晶铜进行了塑性应变幅控制下的疲劳实验.结果表明,塑性应变幅小于8.14×10-4时,孪晶对 疲劳行为的影响不大;塑性应变幅大于8.14×10-4时,孪晶的约束作用、孪晶界与位错的反应及孪晶中位错的特殊组态,使多晶 铜的循环饱和应力提高,硬化曲线中应力饱和平台区延长.
郭小龙申勇峰卢磊李守新
关键词:CU孪晶位错组态驻留滑移带
一种铜膜的制备方法
一种铜膜的制备方法,其特征在于:以晶粒尺寸小于100nm的纳米金属Cu为原材料,纯度高于99.995wt%,密度为8.91±0.03g/cm<Sup>3</Sup>,在室温冷轧,变形速率:1×10<Sup>-5</Sup...
卢磊斯晓陶乃镕隋曼龄卢柯
文献传递
电解液温度对直流电解沉积纳米孪晶Cu微观结构的影响被引量:1
2018年
通过控制直流电解沉积电解液温度制备出不同微观结构的块体纳米孪晶Cu样品。结果表明,当电解液温度由313 K降低至293 K,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸由27.6 mm减小至2.8 mm,平均孪晶片层厚度由111 nm减小至28 nm。电化学测试表明,降低温度减缓了纳米孪晶Cu沉积的电化学过程,使阴极过电位增大,引起晶粒和孪晶的形核率增加,从而使晶粒尺寸和孪晶片层厚度同时减小。
程钊金帅金帅
关键词:阴极过电位微观结构
纳米孪晶Cu中局部剪切应变诱导的退孪生行为被引量:2
2016年
对择优取向纳米孪晶结构Cu样品进行室温轧制变形.微观结构研究发现,当变形压下量为15%时,样品中出现了与轧制方向呈30o^45°方向(最大剪切应力方向)分布的退孪生带.退孪生带中孪晶片层明显粗化,孪晶界上出现大量Shockley位错.塑性变形过程中较小应变时,纳米孪晶Cu中局部退孪生机制是协调局部剪切应变的主要机制.
白敬胜卢秋虹卢磊
关键词:CU纳米孪晶
一种通过改变金属材料梯度纳米孪晶结构提高材料力学性能的方法
本发明公开了一种通过改变金属材料梯度纳米孪晶结构提高材料力学性能的方法,属于纳米结构金属材料技术领域。该方法是利用金属材料微观结构与力学性能的内在规律来提高材料力学性能;所述金属材料具有梯度纳米孪晶结构,所述金属材料微观...
卢磊程钊金帅
文献传递
一种棒状金属材料、管状金属材料及其制备方法
本发明是关于一种棒状金属材料、管状金属材料及其制备方法,涉及金属材料强化技术领域。主要采用的技术方案为:所述棒状金属材料中的平均晶粒尺寸大于1μm、小于200μm,且金属材料涉及以位错为主要变形特征的金属材料;其中,在棒...
卢磊潘庆松
纳米孪晶纯铜的强度和导电性被引量:15
2005年
强度和导电性是金属材料的两个至关重要的性能.常用的金属材料强化方式往往是在提高强度的同时使材料的导电性能明显损失.文章介绍了采用脉冲电解沉积技术制备出具有高密度孪晶片层结构的纯铜薄膜.这种具有纳米尺度的孪晶片层结构的纯铜材料不仅具有非常高的拉伸强度,同时还具有非常高的导电性.拉伸实验表明,当孪晶片层平均厚度小到15nm时,样品的拉伸屈服强度可达900MPa,断裂强度高达1068MPa(约为普通纯铜的10倍以上),并具有与无氧高导铜相当(97%IACS)的室温电导率.
申勇峰卢磊陈先华钱立华卢柯
关键词:拉伸屈服强度金属材料导电性能层结构晶片
共7页<1234567>
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