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陈俊锋
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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发文基金:
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相关领域:
理学
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合作作者
宋国新
复旦大学
袁晖
中国科学院上海硅酸盐研究所
谢建军
上海大学材料科学与工程学院电子...
陈良
中国科学院上海硅酸盐研究所
王剑
上海大学材料科学与工程学院电子...
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施鹰
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宋国新
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2009
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阴离子掺杂钨酸铅晶体的生长与发光性能研究
被引量:2
2009年
本文报道了阴离子F-,Cl-,I-和S2-掺杂的PbWO4晶体的生长与发光性能。通过对掺杂PbWO4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明:F-掺杂能使PbWO4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献。而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动。
谢建军
施鹰
王剑
袁晖
宋国新
陈良
陈俊锋
关键词:
PBWO4晶体
光产额
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