谢建军
- 作品数：166 被引量：158H指数：6
- 供职机构：上海大学更多>>
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- 相关领域：化学工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法，采用强磁场下注浆成型并结合热等静压烧结工艺制备LSO:Ce闪烁陶瓷。本发明利用高分散的LSO:Ce料浆在强磁场下成型制备具有一定晶粒取向度的LSO:Ce素坯，再将素...
- 施鹰范灵聪谢建军雷芳章蕾
- 坩埚下降法大尺寸钨酸铅晶体的制备
- 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚邵培法童乃柱袁辉谢建军杨培志周乐平方全兴倪海洪刘光煜李培俊薛志麟熊巍展宗贵陈良朱祥宇
- 该项目设计并建造了多台能满足批量PWO晶体生长要求的多坩埚下降法晶体生长炉，一个炉次能同时生长28根大尺寸PWO晶体；通过研究杂质离子对PWO晶体闪烁性能的影响，确定了原料中的有害杂质离子，通过工艺控制，获得了高纯原料P...
- 关键词：
- 关键词：钨酸铅大尺寸
- Pechini溶胶-凝胶法制备LuAG:Tb薄膜的显微结构及发光性能
- 2011年
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺制备了Tb^(3+)掺杂Lu_3Al_5O_(12)(简称LuAG:Tb)发光薄膜。前驱体薄膜在850℃左右锻烧得到单一石榴石相的LuAG:Tb薄膜。LuAG薄膜的发射光谱(268nm紫外光激发)对应于Tb^(3+)的~5D_4→~7E_J(J=6～0)和~5D_3→~7F_J特征跃迁,光谱强度随Tb^(3+)掺杂浓度的升高先增强后减弱,在x(Tb^(3+))=2.0%时光谱强度最强,其发光衰减时间为5.14ms。扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察显示LuAG薄膜的颗粒度大小和表面粗糙度随煅烧温度的升高而增大。
- 王剑沈思情谢建军施鹰王宇林挺袁晖艾飞
- 关键词：显微结构
- 红光补偿荧光玻璃陶瓷及其制备方法和在白光LED器件中的应用
- 本发明公开了一种红光补偿荧光玻璃陶瓷及其制备方法和在白光LED器件中的应用，通过高温熔融法，制备可被蓝光有效激发的红色硼磷酸盐荧光玻璃，然后通过低温共烧法将红色硼磷酸盐荧光玻璃和YAG:Ce<Sup>3+</Sup>黄色...
- 雷芳马腾陈璐施鹰谢建军章蕾范灵聪
- 文献传递
- 一种Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥(Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法
- 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce<Sup>3+</Sup>掺杂硅酸镥(Lu<Sub>2</Sub>SiO<Sub>5</Sub>)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属...
- 施鹰林挺邓莲芸任玉英谢建军
- PbWO_4:(Sb,Y)晶体的发光和闪烁性能研究被引量：1
- 2005年
- 本文报道了用多坩埚下降法生长的大尺寸PbWO4: (Sb,Y)晶体的光谱和闪烁性能。基于透射光谱、X射线激发的发射谱、紫外激发及其发射谱、光产额和超短脉冲X射线激发荧光寿命等方面的测试,讨论了Sb,Y双掺杂对PbWO4 晶体的光谱和闪烁性能的作用。结果表明:Sb,Y双掺杂能显著改善PbWO4 晶体的光谱性能和闪烁性能,使PbWO4 晶体在短波方向的透过率明显提高;对于尺寸为 23×23×20mm3 的掺杂晶体样品,光产额最大值大约为 50p.e. /MeV,约为BGO光产额的 6. 0%;发光成份中有 1. 9ns和 15. 8ns两个衰减时间常数的快成份。
- 谢建军杨培志袁晖廖晶莹殷之文曹顿华顾牡
- 关键词：PBWO4晶体发光发射谱坩埚下降法超短脉冲
- 多晶Lu_2SiO_5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性
- 2014年
- 采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中,Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%;而经1 000℃/2 h的氢气气氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明:当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时,Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性,未观察到热猝灭现象发生。
- 范灵聪张瑜瑜张园施鹰谢建军雷芳
- 关键词：化合价
- 多晶铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷的制备和发光性能被引量：1
- 2018年
- 本工作对铈离子掺杂多晶硅酸镥(LSO:Ce)闪烁材料的制备方法进行了系统研究。将LSO:Ce前驱体溶胶喷雾干燥后得到了球形LSO:Ce前驱粉体,该前驱粉体在1000℃和1100℃的温度下煅烧后分别得到了不同晶型的的单相LSO:Ce球形粉体。显微结构观察显示:粉体颗粒的平均直径约为2μm,是由几十纳米大小的LSO:Ce纳米晶粒堆积而成。A型球形LSO:Ce粉体经1200℃/80MPa的放电等离子体烧结(SPS)后获得了平均晶粒尺寸为1.3μm,相对密度高达99.7%的LSO:Ce闪烁陶瓷。由A型球形LSO:Ce粉体压制的素坯在1650℃的空气气氛下烧结4 h后可获得相对密度达98.6%,平均晶粒尺寸为1.6μm的LSO:Ce陶瓷。该陶瓷经1650℃/150 MPa的热等静压(HIP)处理1 h后,获得了相对密度为99.9%的半透明LSO:Ce闪烁陶瓷,其平均晶粒尺寸为1.7μm,晶界干净。该LSO:Ce陶瓷的光产额可达28600 photons/MeV,发光衰减时间为25 ns。
- 范灵聪施鹰谢建军
- 关键词：SPSHIP闪烁陶瓷
- F和Er离子双掺杂的绿发光钨酸铅晶体的制备方法
- 本发明涉及一种具有绿发光性能的高透过性钨酸铅晶体的制备方法，属发光晶体制备技术领域。在研制过程中主要利用改进的坩埚下降法和“分层掺杂”技术来生长具有较高光学透过性的阴阳离子双掺杂钨酸铅晶体。本发明具体涉及到用用F<Sup...
- 谢建军刘志坤袁晖熊巍
- 文献传递
- Ce：Lu2SiO5闪烁陶瓷的放电等离子烧结与发光性能被引量：3
- 2011年
- 以亚微米级单相铈离子掺杂硅酸镥(Ce:Lu2SiO5,LSO)发光粉体为原料,采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering)技术対多晶LSO闪烁陶瓷的制备方法进行了探索,同时对其发光性能进行了研究.在(1350℃/5min)的条件下实现了LSO粉体的快速致密化烧结,研制出了具有良好发光性能的半透明多晶LSO闪烁陶瓷,其相对密度达到理论密度的99.5%.在360nm紫外激发条件下,呈现位于380～600nm的宽峰发射行为.其相对发光强度达到LSO闪烁单晶的75%,发光衰减时间仅为9.67ns.该材料有望成为一种新型的高光输出、快衰减多晶闪烁材料.
- 林挺许志斌邓莲芸任玉英施鹰谢建军
- 关键词：闪烁陶瓷放电等离子烧结发光性能
