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张振文

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第43研究所更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇钎料
  • 1篇温度循环
  • 1篇显微结构
  • 1篇相组成
  • 1篇金属焊接
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性研究
  • 1篇覆铜板
  • 1篇AG-CU-...
  • 1篇ALN
  • 1篇大尺寸

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇合肥圣达电子...
  • 1篇合肥工业大学

作者

  • 2篇许海仙
  • 2篇张振文
  • 1篇汤文明
  • 1篇张浩
  • 1篇耿春磊

传媒

  • 1篇真空电子技术
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2024
4 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
国产氮化硅AMB覆铜板可靠性研究
2024年
氮化硅陶瓷覆铜板具有优异的高可靠性,使其成为新能源汽车、高铁等领域功率模块的必选散热基板材料之一。采用活性金属化焊接工艺制备国产氮化硅AMB覆铜板,剥离强度≥14 N/mm,且整版剥离强度性能均匀;在350~25℃高低温冲击120次,并未出现显著分层,剥离强度并未出现显著降低;国产氮化硅AMB覆铜板端子拉拔测试断裂处呈现S弯,铜层并未出现拉起现象。国产氮化硅AMB覆铜板与进口产品相当,可满足功率模块使用要求。
周泽安张振文张振文许海仙耿春磊黄胜猛许海仙
关键词:氮化硅陶瓷温度循环
大尺寸AlN活性金属焊接覆铜基板的界面结合机理被引量:1
2024年
基于190 mm×139 mm×0.635 mm的大尺寸AlN表面活性金属钎焊(AMB)覆铜板工艺制程,开展其界面显微组织、物相组成等的研究,确定钎焊界面结合机理,为制备大尺寸、低气孔、高剥离强度AlN-AMB覆铜板提供支持。结果表明,在大尺寸AlN-AMB覆铜板钎焊过程中,Ag-Cu-Ti合金钎料中的Ag-Cu合金与Cu箔扩散溶合,形成强的冶金结合界面。同时,钎料中的活性Ti原子向AlN基板表面扩散,并与其反应,生成厚度为0.5~1μm的TiN反应层,形成强的反应结合界面。此外,钎料熔体难以填充基板的AlN晶界和凹坑,其中的Ti原子也不与Y-Al-O第二相颗粒反应,导致AlN基板表面TiN反应层不连续分布,形成气孔,降低大尺寸AlN-AMB覆铜板的界面结合强度及可靠性。
许海仙曾祥勇朱家旭周泽安张振文张振文
关键词:显微结构相组成AG-CU-TI钎料
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