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杨艳

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀损伤
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇NI/AU
  • 1篇ICP
  • 1篇N-

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇王冲
  • 1篇刘杰
  • 1篇冯倩
  • 1篇张进诚
  • 1篇郝跃
  • 1篇龚欣
  • 1篇杨艳

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响
2007年
通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究。试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大。刻蚀样品在400℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品。
刘杰王冲冯倩张进诚郝跃杨艳龚欣
关键词：感应耦合等离子体肖特基接触刻蚀损伤
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