龚欣
- 作品数：20 被引量：15H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术更多>>
- npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析
- 2006年
- 基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.
- 龚欣马琳张晓菊张金凤杨燕郝跃
- 关键词：GAN物理模型异质结双极晶体管
- 6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响
- 2004年
- 采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响。结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响。同时,对所得结果从内部物理机制上进行了分析。
- 龚欣张进城郝跃李培咸
- 关键词：SICOIMESFET结构参数
- ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响
- 2007年
- 通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究。试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大。刻蚀样品在400℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品。
- 刘杰王冲冯倩张进诚郝跃杨艳龚欣
- 关键词：感应耦合等离子体肖特基接触刻蚀损伤
- 磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
- 本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用99.99%以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入EB蒸发台的...
- 郝跃谢永桂冯倩王冲龚欣李亚琴
- 文献传递
- GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法
- 本发明公开了一种在GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用高纯Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>颗粒和金属作蒸发源材...
- 谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
- 文献传递
- 基于云网端架构的无人系统双因子认证与安全控制方法
- 本发明公开了一种基于云网端架构的无人系统双因子认证与安全控制方法，主要解决现有技术的离线口令猜测攻击和用户身份ID隐私泄露问题。其实现方案为：云服务器在系统初始化阶段生成并公开系统参数，并分别在用户注册阶段和无人设备注册...
- 马建峰姜奇龚欣赵晓敏杨雪苏鹏飞
- 磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
- 本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用99.99％以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入EB蒸发台的...
- 谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
- 文献传递
- 高亮度GaN蓝光LED技术
- 郝跃李培咸张进城冯倩谢永桂过润秋张国华王省莲王冲周小伟杨燕马晓华龚欣张金凤陈军峰
- 该技术包含GaN材料生长用MOCVD设备制造技术和高亮度GaN蓝光LED制造技术。研制了MOCVD设备及恒流配气技术、MOCVD系统控制软件、P型GaN大气退火技术、InGaN/GaN多量子阱结构温度条件钝化工艺、InG...
- 关键词：
- 关键词：GAN材料MOCVD设备蓝光LED
- GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法
- 本发明公开了一种GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在GaN基化合物材料上用4N以上高纯度Al<Sub>2</Sub>O<Sub...
- 郝跃谢永桂冯倩王冲龚欣李亚琴
- 文献传递
- 面向无人机网络的前向安全密钥协商协议
- 龚欣
