曾武贤
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
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- γ射线辐照对探测器的SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面和暗电流的影响
- 2022年
- 分析表明,利用γ射线对SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅进行辐照,通过C-V曲线测试发现,经过γ射线辐照,C-V曲线向负方向漂移,C-V曲线整体抬高,平带电压向负方向漂移,界面态增大。辐照后CCD器件的暗电流变大,通过γ射线辐照对CCD的Si-SiO_(2)界面产生损伤的机理分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起。辐照后CCD暗电流的变化和SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面的变化原因相同,SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面的变化导致了CCD暗电流发生了变化。
- 曾武贤钟玉杰
- 关键词：集成电路Γ射线CCD
- 工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究被引量：1
- 2010年
- 采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响，然后对CCD的工艺过程进行了优化，并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50％，典型值为20～30pA／cm2。
- 雷仁方许宏曾武贤李仁豪
- 关键词：MPPCCD工艺过程暗电流密度少子寿命
- CCD用透明栅电极的制作被引量：1
- 2010年
- 采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加。
- 李华高赵梁博邓涛曾武贤向华兵熊玲
- 关键词：ITO薄膜CCD
- 高响应905nm硅雪崩光电二极管设计
- 2021年
- 阐述n+-p-π-p+外平面结构APD的工作原理和设计考虑,其感光面积为0.2~0.8mm。这些光电二极管被优化用于检测905nm辐射,并在该范围内实现了优异的参数-高增益、低噪声、高检测率。
- 曾武贤钟玉杰黄烈云
- 关键词：硅雪崩光电二极管响应度
- 长线阵CCD光敏区铝剥离技术
- 2010年
- 介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影响。通过优化工艺参数,实现了长线阵CCD光敏区的铝剥离,剥离后光敏区长度为8cm,宽度平均值为6.2μm,线宽均匀性为98.5%。
- 曾武贤张振宇廖乃镘钟玉杰袁安波
- 关键词：CCD显影均匀性
- 拉通型硅基APD保护环工艺研究被引量：2
- 2017年
- 研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管(Si-APD)器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件下的成品率为94%;采用扩散掺杂方式,器件成品率不超过65%。两种方式对器件反向击穿电压影响较小且暗电流抑制效果相当。离子注入后推结制备保护环的方式更适合Si-APD制程。
- 李睿智袁安波曾武贤
- 关键词：保护环离子注入技术
