陈瑶
- 作品数：3 被引量：22H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 国产电阻阵列的发展:历史、现状和未来技术探讨
- 本文回顾和总结了国产电阻阵列三个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻，电阻成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第...
- 马斌程正喜翟厚明郭中原刘强张学敏丁毅陈瑶
- 关键词：红外器件电阻阵列CMOS工艺
- 一种四采样低噪声CMOS光电探测器读出电路被引量：1
- 2019年
- 为满足高采样速率可见光成像探测要求,本文设计了一种具有6 MHz采样频率的四采样长线列CMOS探测器。通过减小四采样后的第一级P跟随管宽长比降低总线寄生电容,和减小P跟随负载管偏置电压增加驱动电流,缩小信号延迟,使读出电路的采样频率由原来的2 MHz增加到6 MHz,有效地提高了长线列可见光CMOS探测器的读出频率。为实现真正相关双采样降低器件等效输入噪声,采用了CTIA积分放大器后接四采样跟随电路。通过测试,该CMOS探测器在积分时间为200 us、光敏面面积为20 um ×18 um的情况下其等效输入噪声电子数50e,与未采用四采样时相比较下降了50%左右。其线性度、输出摆幅、灵敏度等方面都能满足整机系统对CMOS探测器的指标要求。该CMOS探测器的研制为未来超高速高清晰成像探测奠定了重要的理论基础和实用基础。
- 袁红辉陈永平黄志伟陈瑶王欣陈世军
- 关键词：低噪声CMOS读出电路
- 国产电阻阵列技术的发展趋势被引量：21
- 2011年
- 回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻,基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题,但占空比和规模提高有限;第三代128×128复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术,占空比显著提高,功耗明显下降,该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术,但技术成熟度有待进一步提高。最后,对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨。
- 马斌程正喜翟厚明郭中原刘强张学敏丁毅陈瑶
- 关键词：半实物仿真电阻阵列
