陈瑶
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构
- 本发明涉及一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，该自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对V<Sub>BACK</Sub>信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路进行加固，得到能够抗单粒子效应...
- 周昕杰陈嘉鹏潘滨张国贤陈瑶
- 文献传递
- 28 nm工艺触发器中能质子单粒子效应研究
- 2023年
- 基于采取不同加固措施的28 nm体硅CMOS工艺的触发器链,开展了中能质子对纳米级电路单粒子翻转(SEU)效应影响的研究。选取20 MeV、40 MeV、60 MeV以及100 MeV质子对电路进行辐照,得到相关的SEU截面,结果显示,随着入射质子能量的增加,SEU截面增加,并在60 MeV质子能量点附近达到饱和,翻转截面接近8×10^(-14)cm^(-2)/bit。对采取了不同加固方法的触发器链的试验数据进行分析对比,可以看到,单独的版图加固措施只能稍微降低翻转率;DICE结构可以将翻转截面降低一个数量级,电路面积增加一倍左右;时间冗余延迟+DICE的方法基本可以使电路不发生翻转,但电路面积大大增加且造成一定的延迟。
- 高熠陈瑶吕伟赵铭彤王茂成
- 关键词：单粒子翻转中能质子触发器
- 一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构
- 本发明涉及一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，该自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对V<Sub>BACK</Sub>信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路进行加固，得到能够抗单粒子效应...
- 周昕杰陈嘉鹏潘滨张国贤陈瑶
- 0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究被引量：2
- 2019年
- 利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。
- 花正勇马艺珂殷亚楠周昕杰陈瑶姚进周晓彬
- 关键词：FD-SOI单粒子LET偏置
