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黄宏娟
作品数:
28
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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相关领域:
电子电信
文化科学
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合作作者
张宝顺
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
赵德胜
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
时文华
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
杨晓杰
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
边历峰
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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芯片盛放装置
本发明提供一种芯片盛放装置,所述芯片正面朝下安放在所述盛放装置中,所述芯片正面包括沉积有焊接球的第一区和第一区周围的第二区,所述盛放装置包括盛放板和设于所述盛放板上的多组盛放单元,所述盛放单元包括用于支撑第二区的支撑部和...
黄宏娟
赵德胜
张宝顺
文献传递
红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+...
任昕
杨晓杰
边历峰
黄宏娟
文献传递
一种铟柱的制备方法、红外焦平面阵列探测器
本发明公开了一种铟柱及其制备方法,所述制备方法包括:A、在芯片(10)上涂布光刻胶层(20);B、在光刻胶层(20)上形成沉积孔(21);C、依次沉积金属和铟,在光刻胶层(20)上依次形成底金属层(30)和铟层(41),...
黄宏娟
赵德胜
张宝顺
文献传递
半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途
本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构,包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路,所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构...
王哲明
范亚明
陈扶
黄宏娟
赵佳豪
云小凡
张晓东
张宝顺
文献传递
一种芯片点胶过程中电极保护装置
本实用新型公开了一种芯片点胶过程中电极保护装置,包括芯片、载体和点胶座,所述载体设有内连接部和外导电部,所述外导电部包围所述内连接部设置,所述芯片位于所述载体的上方,且所述芯片设有连接凸点,所述芯片通过所述连接凸点与所述...
齐成剑
黄宏娟
赵德胜
张宝顺
半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途
本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构,包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路,所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构...
王哲明
范亚明
陈扶
黄宏娟
赵佳豪
云小凡
张晓东
张宝顺
一种解理装置
本发明涉及半导体制备技术,尤其是提供一种解理装置,用于将半导体巴条解理为若干个芯片,其包括:一负压源,以及,一吸附腔体,通过一连接管与所述负压源连接;所述吸附腔体包括第一上盖和第二上盖,所述第一上盖与所述第二上盖成一夹角...
黄宏娟
赵德胜
张宝顺
文献传递
一种器件封装互联方法
本发明提供了一种器件封装互联方法,包括如下步骤:(1)提供具有上、下台面电极的半导体芯片,其中,上台面电极高于下台面电极;(2)在所述上、下台面电极上分别施加焊料;(3)对焊料进行回流处理,使分布在所述上、下台面电极上的...
苏瑞巩
黄宏娟
李晓伟
时文华
熊敏
张宝顺
文献传递
一种蓝宝石图形化衬底制备方法
本发明提供的蓝宝石图形化衬底的制备方法,通过在所述蓝宝石衬底上旋涂一层光刻胶,并对带有光刻胶的蓝宝石衬底进行前烘处理后,在所述光刻胶上分别形成亚微米结构且相互垂直的第一光栅图形及第二光栅图形,再对经上述步骤处理后蓝宝石衬...
赵德胜
黄宏娟
王敏锐
张宝顺
文献传递
一种样品架
本发明公开了一种样品架,包括用于承载样品的样品放置架、用于调节样品表面的一选定点与蒸发源距离的距离调节机构、以及用于调节蒸发源的表面法线与蒸发源和样品表面的一选定点的连线之间的夹角的角度调节机构。距离调节机构经一中空固定...
赵德胜
张永红
黄宏娟
张宝顺
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