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杨佳音

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇等离子天线
  • 5篇天线
  • 5篇二极管
  • 4篇淀积
  • 4篇PIN二极管
  • 3篇离子注入
  • 3篇离子注入工艺
  • 3篇掺杂
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化处理
  • 2篇多晶
  • 2篇原位掺杂
  • 2篇源区
  • 2篇增透
  • 2篇增透膜
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片集
  • 2篇芯片集成
  • 2篇芯片集成度
  • 2篇集成度

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇杨佳音
  • 7篇舒斌
  • 7篇胡辉勇
  • 7篇宋建军
  • 7篇宣荣喜
  • 7篇王斌
  • 5篇张鹤鸣
  • 5篇苏汉
  • 1篇王禹

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 3篇2017
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形...
王斌杨佳音张鹤鸣郝敏如胡辉勇宋建军舒斌宣荣喜苏汉
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锗基光电材料及器件关键技术研究
随着集成电路技术的不断发展，集成电路运行速度、功耗水平等性能参数的优化受材料本身物理极限以及工艺水平的制约严重。光电集成技术以光子作为信息载体，因其具有信息容量大、易于集成等优点，成为延续和替代集成电路发展的备选方案之一...
杨佳音
关键词：化学气相淀积载流子输运
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一种LED芯片的制造方法及LED芯片
本发明涉及一种LED芯片的制造方法及LED芯片，其中，LED芯片的制造方法包括：步骤1、选取衬底(11)；步骤2、在衬底(11)上生长蓝光外延层；步骤3、制备红光灯芯槽；步骤4、在红光灯芯槽内生长红光外延层；步骤5、制备...
胡辉勇杨佳音苗渊浩舒斌王斌宋建军宣荣喜
SiGe‑Si‑SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件
本发明涉及一种SiGe‑Si‑SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底内设置隔离区；(c)利用光刻工艺在所述GeOI衬底内形成P型沟槽...
王斌苏汉康海燕胡辉勇杨佳音张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜郝敏如
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一种LED芯片的制造方法及LED芯片
本发明涉及一种LED芯片的制造方法及LED芯片，其中，LED芯片的制造方法包括：步骤1、选取衬底(11)；步骤2、在衬底(11)上生长蓝光外延层；步骤3、制备红光灯芯槽；步骤4、在红光灯芯槽内生长红光外延层；步骤5、制备...
胡辉勇杨佳音苗渊浩舒斌王斌宋建军宣荣喜
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基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形...
王斌杨佳音张鹤鸣郝敏如胡辉勇宋建军舒斌宣荣喜苏汉
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GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管及其制备方法
本发明涉及一种GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和...
王斌苏汉王禹胡辉勇杨佳音张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜苗渊浩郝敏如
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SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件
本发明涉及一种SiGe‑Si‑SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底内设置隔离区；(c)利用光刻工艺在所述GeOI衬底内形成P型沟槽...
王斌苏汉康海燕胡辉勇杨佳音张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜郝敏如
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