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周玉红

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇有限差分
  • 1篇有限差分法
  • 1篇阵列
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇界面态
  • 1篇可见光
  • 1篇可见光CCD
  • 1篇互连
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光互连
  • 1篇发射激光器
  • 1篇辐照
  • 1篇Γ辐照
  • 1篇VCSEL
  • 1篇CCD
  • 1篇差分法
  • 1篇垂直腔
  • 1篇垂直腔表面发...

机构

  • 2篇重庆光电技术...
  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 2篇周玉红
  • 1篇汪朝敏
  • 1篇王品红
  • 1篇田坤
  • 1篇钟玉杰
  • 1篇李睿智
  • 1篇雷仁方
  • 1篇朱少立
  • 1篇王小强

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用于空间光互连的850nm VCSEL 4×4阵列的热场模拟被引量：1
2010年
作为空间光互连系统的发射部分,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列的热特性直接影响到光互连系统的稳定性。建立了850nm VCSEL 4×4阵列的热场数学模型,并利用有限差分法求解热传导和热扩散方程,得出了在VCSEL单元工作电流为10mA时阵列的热场分布:VCSEL单元有源层温度约为50℃;整个阵列的温度仅为38.65℃。依据此结果制作了850nm 4×4光互连模块,其每通道稳定传输速率达到1Gbit/s。
田坤朱少立王品红周玉红
关键词：光互连垂直腔表面发射激光器有限差分法
γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究被引量：3
2010年
通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产生的界面态俘获转移电荷所致;器件辐照后暗电流的增加将降低器件的有效信号输出幅度。
钟玉杰周玉红雷仁方汪朝敏李睿智王小强
关键词：CCD辐照界面态
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