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姜春生

作品数:8 被引量:21H指数:3
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 6篇金刚石膜
  • 3篇CVD
  • 2篇水平集
  • 2篇水平集方法
  • 2篇孪晶
  • 1篇电子背散射衍...
  • 1篇直流电弧等离...
  • 1篇数值模拟
  • 1篇涂层
  • 1篇气相沉积
  • 1篇氢气
  • 1篇氢气含量
  • 1篇微波等离子体
  • 1篇纳米金刚石薄...
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇金刚石涂层
  • 1篇晶界
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 8篇北京科技大学

作者

  • 8篇唐伟忠
  • 8篇姜春生
  • 7篇吕反修
  • 4篇郭世斌
  • 4篇刘政
  • 3篇王凤英
  • 2篇孟宪明
  • 2篇李晓静
  • 2篇黑立富
  • 1篇李成明
  • 1篇于盛旺

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇金属热处理
  • 1篇金刚石与磨料...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇航空材料学报

年份

  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2007
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
沉积参数对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响被引量:3
2009年
用强电流直流伸展电弧化学气相沉积金刚石薄膜装置,在CH4-Ar和CH4-H2-Ar气氛中沉积了纳米金刚石薄膜,研究了沉积气氛中H2加入量和沉积压力对金刚石薄膜显微组织和生长机制的影响.沉积气氛中H2含量对金刚石薄膜的表面形貌、晶粒尺寸和生长速度有显著影响,随着H2含量增加,金刚石晶粒尺寸增大,薄膜生长速度提高.在1%CH4-Ar气氛中沉积的纳米金刚石薄膜,晶粒尺寸细小,薄膜表面形貌光滑平整.在1%CH4-少量H2-Ar气氛中沉积的金刚石薄膜,晶粒尺寸小于100nm,薄膜表面形貌较平整.随着沉积压力提高,金刚石薄膜的生长速度增大.用激光Ram an对金刚石薄膜进行了表征.
孟宪明王凤英黑立富姜春生唐伟忠吕反修
关键词:CVD氢气含量金刚石薄膜
沉积温度及其变化对金刚石膜内黑色缺陷产生过程的影响被引量:3
2010年
用高功率直流电弧等离子体喷射方法研究金刚石膜沉积温度稳定性对膜中黑色缺陷产生的影响。结果表明,在温度稳定条件下制备的金刚石膜中,黑色缺陷的密度较低;当沉积温度大幅度变化时,在膜中产生大量黑色缺陷。形成大量黑色缺陷的原因是:沉积温度变化时,在金刚石晶粒的表面形成贯穿型孪晶,而在随后的生长过程中,这些孪晶的长大将抑制金刚石膜局部生长环境中活化的反应气体与其下晶界位置的金刚石组织接触,导致其生长缓慢并保留在金刚石膜中,从而形成大量黑色缺陷。
姜春生刘政郭世斌李晓静唐伟忠吕反修郭辉
关键词:金刚石膜孪晶电子背散射衍射
金刚石膜中黑色缺陷形成过程的计算机模拟
2010年
多晶金刚石膜中的黑色缺陷是影响材料光学、电学性能的一种重要缺陷。利用水平集方法对黑色缺陷的形成过程进行了模拟。模拟的基本假设为:黑色缺陷形成的基本条件为相邻晶粒间的晶界环境使活性气体扩散的过程难以进行,形成了一种形如"峡谷"状的、相邻晶面夹角<30°的局部环境。金刚石膜的生长参数α2d值由1.3改变为1.5,在其晶粒表面{11}面上形成孪晶。孪晶的长大促进了黑色缺陷的形成。
姜春生李晓静刘政唐伟忠吕反修
关键词:金刚石膜水平集方法
沉积温度突变导致金刚石膜中大量黑色缺陷形成的孪晶模型被引量:4
2010年
提出了沉积温度突变时黑色缺陷形成的孪晶机制模型。这一模型提出的基本假设为:沉积温度改变时,金刚石膜的表面上产生贯穿型的孪晶,孪晶以及原来的晶粒的各晶面均将按α2d所规定的生长速率扩张,在生长时相邻晶粒的晶界处形成了一种形如"峡谷"状的、相邻晶面夹角过小的局部环境,后者将导致活性气体扩散的过程难于进行,从而形成黑色缺陷。在此假设的基础上,利用水平集方法对此模型进行了二维的模拟,并通过实验进行了验证。模拟及实验的结果表明,在金刚石膜沉积的过程中,沉积温度的突变将通过在众多金刚石晶粒的表面诱发产生孪晶,显著提高金刚石膜中黑色缺陷的形成几率。
姜春生刘政郭世斌唐伟忠吕反修
关键词:金刚石膜水平集方法
直流电弧等离子体CVD金刚石膜中氢杂质研究
2010年
运用傅里叶红外光谱(FT-IR)和核反应分析(NRA)对直流电弧等离子体制备的金刚石膜中的氢杂质进行了研究,并通过添加少量空气到反应气体的实验分析了氢杂质的变化。研究结果发现:红外光谱只能检测金刚石膜中的成键氢,其含量随着氮渗入量的增加而增加,并得出2820cm-1处的吸收是由氮结合的CH基团振动引起的,2832cm-1处的吸收可能是由金刚石膜特征结构缺陷结合的CH基团振动引起的,而不是氧相关的基团。核反应分析可以检测金刚石膜中的总氢含量,近表面小于50nm层氢含量变化快,大于50nm之后氢含量趋于稳定,此值认为是金刚石膜中的总氢含量。
郭世斌姜春生吕反修唐伟忠李成明
关键词:CVD金刚石膜核反应分析
椭球形微波等离子体金刚石膜沉积装置与金刚石膜的制备被引量:3
2009年
对椭球形谐振腔式微波等离子体(MPCVD)金刚石膜沉积装置的谐振腔进行了模拟,获得了谐振腔中的电场和等离子体分布。运用自行设计和建立的椭球形谐振腔式微波等离子体装置,沉积了纳米和微米尺度的金刚石膜。对金刚石膜的各种性能进行了检测。结果表明,所建成的椭球形谐振腔式的MPCVD金刚石膜沉积装置,可实现微米和纳米尺度不同品质金刚石膜的沉积。
王凤英唐伟忠姜春生于盛旺
关键词:金刚石膜数值模拟微波等离子体
高功率直流电弧等离子体喷射法制备的金刚石厚膜中黑色缺陷的研究被引量:10
2009年
借助激光标记的方法,对采用高功率直流电弧等离子体喷射法制备的金刚石膜中的黑色缺陷进行了定点表征。结合使用光学显微镜、激光扫描共焦显微镜、扫描电子显微镜、电子背散射衍射技术等多种表征方法,对同一样品的特定微观标记区域进行了多角度的分析。实验结果表明:金刚石膜内部的黑色缺陷是一种存在于晶界处的孔洞与质量较低的金刚石相的复合体,它的形成应与金刚石膜中某些晶界处的生长环境有关。
姜春生郭世斌刘政唐伟忠吕反修
关键词:金刚石膜晶界
强电流直流伸展电弧CVD纳米金刚石涂层微型工具被引量:2
2007年
本文研制了强直流伸展电弧金刚石涂层沉积设备,它可产生长达400 mm的等离子体弧柱,可沉积金刚石涂层的区域大,能够在复杂形状硬质合金刀具上沉积金刚石涂层,有利于实现金刚石涂层硬质合金工具的产业化生产。在直径1 mm的微型铣刀上沉积了纳米金刚石涂层,研究了沉积压力对金刚石涂层组织的影响,沉积压力对金刚石涂层的晶粒尺寸和表面形貌有显著影响。随着沉积压力的降低,沉积的金刚石涂层晶粒尺寸减小,当沉积压力为0.80 kPa时,可沉积出纳米金刚石涂层。涂层的厚度均匀,其表面光滑、平整,且与硬质合金基体之间有较好的附着力。用激光Ram an对金刚石涂层进行了表征。
孟宪明唐伟忠黑立富王凤英姜春生吕反修
共1页<1>
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