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张阳

作品数:17 被引量:14H指数:2
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 8篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 14篇碲镉汞
  • 11篇液相外延
  • 4篇碲镉汞薄膜
  • 3篇石墨
  • 3篇隧穿
  • 3篇隧穿电流
  • 3篇探测器
  • 3篇碲镉汞材料
  • 3篇红外
  • 3篇HGCDTE
  • 2篇液相外延技术
  • 2篇异质结
  • 2篇原位生长
  • 2篇正多面体
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇夹片
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇
  • 2篇MCT

机构

  • 17篇昆明物理研究...

作者

  • 17篇张阳
  • 12篇吴军
  • 11篇孔金丞
  • 9篇宋林伟
  • 8篇李东升
  • 6篇万志远
  • 6篇李沛
  • 5篇木胜
  • 4篇覃钢
  • 3篇毛旭峰
  • 3篇姬荣斌
  • 2篇姜军
  • 2篇周旭昌
  • 1篇谭英
  • 1篇杨彦
  • 1篇李艳辉
  • 1篇杨春章
  • 1篇洪雁
  • 1篇王静宇
  • 1篇齐航

传媒

  • 5篇红外技术
  • 3篇红外与毫米波...
  • 1篇科技风

年份

  • 2篇2025
  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于步进扫描傅里叶变换的红外光致发光研究被引量:1
2018年
搭建了红外波段的傅里叶变换光致发光谱测试系统,结合FTIR光谱仪的步进扫描功能,在室温条件下对短波和中波碲镉汞材料进行了光致发光测试。测试结果表明,相对于常规的连续谱扫描,步进扫描的方式成功地抑制了背景辐射的影响,同时还显著提高了PL谱信号的信噪比,在室温下获得了光滑的PL谱曲线。
周旭昌杨彦覃钢张阳李东升木迎春
关键词:红外光致发光
过冷度对液相外延HgCdTe薄膜厚度均匀性的影响被引量:2
2019年
探索了一种准确测量过冷度的实验方法,并在此基础上,利用光学显微镜、傅里叶红外透射光谱仪、台阶仪、白光干涉仪等测试手段分析了过冷度对Hg Cd Te薄膜厚度均匀性的影响.研究结果表明,过冷度小于2℃,薄膜容易出现中心凹陷、四周凸起的现象;过冷度大于3℃,薄膜中心将会明显凸起,出现宽度为毫米级的周期性起伏,并伴随有crosshatch线产生.当过冷度为2. 5℃时,薄膜厚度极差可缩小至0. 5μm,0. 5 mm×0. 5 mm范围内薄膜相对于衬底的粗糙度增加量为9. 07 nm.
陆骏李东升吴军万志远宋林伟李沛张阳孔金丞
关键词:碲镉汞过冷度液相外延
碲镉汞双层组分异质平面结红外探测器及制备方法
本发明公开了一种碲镉汞双层组分异质平面结探测器,包括层叠设置的衬底材料层、n型吸收层、表面n型宽禁带异质层、钝化层及接触电极层;表面n型宽禁带异质层是基于富汞垂直液相外延技术在n型吸收层表面制备的宽禁带异质层,剩余杂质为...
张阳孔金丞王文金黄钰李达邓文斌陈姗赵贵琴王雪松杨晋宋林伟覃钢丛树仁夏山茭
P-on-n型碲镉汞像元级原位生长阵列探测器及其制备方法
本发明提供一种P‑on‑n型碲镉汞像元级原位生长阵列探测器,其特征在于它包括自下而上依次叠置的衬底材料层、n型吸收层、隔离像元的钝化隔离网格层、位于钝化隔离网格层的隔离网格内的阵列P型cap区、覆盖钝化隔离网格层和阵列p...
张阳孔金丞王文金起文斌左大凡王雪松孔令文黄钰赵文桂希欢陈姗吴军杨晋
碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应被引量:6
2018年
该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,高温汞蒸气对碲锌镉衬底中表面沉淀物尺寸无明显影响,但在衬底表面发现两种类型的腐蚀点,一种是尺寸为25μm左右的较大腐蚀点,分布较均匀;另一种是尺寸为7μm左右的圆形腐蚀点,分布不均匀.衬底经过液相外延薄膜成核生长前的温度变化过程以及高温Hg蒸气的作用,碲锌镉衬底表面形貌呈鱼鳞状,粗糙度增大了50%以上.
宋林伟吴军孔金丞李东升张阳李沛杨翔万志远黄元晋木胜
关键词:液相外延粗糙度
碲镉汞(MCT)富汞液相外延技术综述
2019年
富汞LPE是唯一能以生长方式实现As掺杂并直接激活成受主的外延技术,可在富Te水平外延生长的外延薄膜之上生长出高组分厚度为1um-3um的p型覆盖层(Cap层)形成p-on-n型组分梯度异质结构碲镉汞材料,实现碲镉汞p-on-n型组分梯度异质结构的优化设计生长。从而优化碲镉汞探测器的性能,提高碲镉汞焦平面探测器的工作温度,降低组件的体积、重量和功耗,提高可靠性,为高性能红外热像仪的应用创造更多的领域。
毛旭峰宋林伟吴军张阳
降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途
本发明提供了一种降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途,包括带有楔形槽的石墨舟主体、楔形衬底承载件及固定螺栓;石墨舟主体为一正多面体,其前后左右四个面均设置有楔形槽,该楔形槽用于供楔形衬底承载件插入;楔形衬底...
张阳吴军孔金丞杨进宝李沛万志远木胜王宇婷龙云富方东姬荣斌
文献传递
一种碲镉汞液相外延生长源定量合成的装置
本实用新型属于红外探测器制造领域,涉及一种碲镉汞液相外延生长源定量合成的装置,该装置包括石墨模具和石英管,石墨模具是由模具A和模具B紧固扣合而成的密闭空腔,模具A为槽型结构,开设有合成槽;模具B内设置有数个定量槽和导流槽...
李东升李沛郭建华万志远黄元晋宋林伟木胜毛旭峰张阳陆骏
文献传递
P-on-n型碲镉汞原位生长嵌入式平面异质结探测器及其制备方法
本发明提供一种P‑on‑n型碲镉汞原位生长嵌入式平面异质结探测器,其特征在于包括:自下而上依次叠置的衬底材料层、n型吸收层、隔离像元的n型隔离网格层、位于n型隔离网格层的隔离网格内的阵列P型cap区、覆盖n型隔离网格层和...
张阳孔金丞左大凡彭凝起文斌王文金桂希欢黄元晋邓文斌王雪松万志远周艳姜军吴军黄钰
一种碲镉汞n-p-n结构双色材料、制备方法及用途
本发明公开了一种碲镉汞n‑p‑n结构双色材料、制备方法及用途,属于红外探测器材料技术领域,材料包含从下到上依次层叠设置的衬底材料、第一n型层、p型层、第二n型层,所述第一n型层、p型层、第二n型层通过富汞垂直液相外延技术...
起文斌孔金丞王文金张阳吴军江先燕杨晋姜军邓文斌姬荣斌
共2页<12>
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