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吴军

作品数:23 被引量:26H指数:4
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 15篇碲镉汞
  • 14篇液相外延
  • 7篇HGCDTE
  • 6篇碲镉汞材料
  • 5篇碲镉汞薄膜
  • 4篇碲锌镉
  • 3篇电学性能
  • 3篇石墨
  • 3篇探测器
  • 3篇红外
  • 2篇液相外延生长
  • 2篇原位生长
  • 2篇正多面体
  • 2篇隧穿
  • 2篇隧穿电流
  • 2篇碲锌镉晶体
  • 2篇夹片
  • 2篇红外探测
  • 2篇
  • 2篇HGCDTE...

机构

  • 21篇昆明物理研究...
  • 5篇云南大学

作者

  • 23篇吴军
  • 15篇孔金丞
  • 12篇张阳
  • 9篇宋林伟
  • 8篇李东升
  • 7篇姬荣斌
  • 7篇万志远
  • 6篇李沛
  • 4篇毛旭峰
  • 4篇木胜
  • 2篇马庆华
  • 2篇姜军
  • 2篇杨宇
  • 2篇陈建才
  • 2篇黄蓓
  • 2篇韩福忠
  • 1篇赵鹏
  • 1篇李立华
  • 1篇李雄军
  • 1篇张小雷

传媒

  • 6篇红外技术
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇Journa...
  • 1篇电子世界
  • 1篇科技风
  • 1篇2003年全...

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2005
  • 1篇2003
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法
本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题,其方法包括:在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前...
孔金丞宋林伟吴军李东升黄元晋王文金王志斌陈姗黄蓓陶丽明姬荣斌
文献传递
液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性的改善
用水平推舟的方法以固态HgTe替代液态Hg补偿源,在CdZnTe衬底上从富Te溶液中外延生长出组分均匀的HgCdTe薄膜.采用红外透射法测量薄膜的组分及截止波长,并利用光学显微镜小光点系统辅之于机械扫描机构对薄膜的微小区...
马庆华陈建才吴军孔金丞杨宇姬荣斌
关键词:LPE液相外延HGCDTE薄膜
文献传递
基于VLPE技术的碲镉汞p-on-n双层异质结材料与器件研究进展
2024年
本文对比分析了碲镉汞p-on-n器件四种制备方式的优劣,其中,VLPE(Vertical Liquid Phase Epitaxy)技术具有原位As掺杂与高激活率的技术优势,是制备高性能p-on-n双层异质结器件的重要方式。针对该技术,从材料生长、器件工艺和器件性能方面回顾了国内外研究进展,讨论了国内外差距,明确了制约该技术发展的关键问题和技术难点,并提出了解决思路。最后,展望了VLPE技术pon-n异质结器件的发展趋势。
王文金孔金丞起文斌张阳宋林伟吴军赵文俞见云覃钢
关键词:碲镉汞
过冷度对液相外延HgCdTe薄膜厚度均匀性的影响被引量:2
2019年
探索了一种准确测量过冷度的实验方法,并在此基础上,利用光学显微镜、傅里叶红外透射光谱仪、台阶仪、白光干涉仪等测试手段分析了过冷度对Hg Cd Te薄膜厚度均匀性的影响.研究结果表明,过冷度小于2℃,薄膜容易出现中心凹陷、四周凸起的现象;过冷度大于3℃,薄膜中心将会明显凸起,出现宽度为毫米级的周期性起伏,并伴随有crosshatch线产生.当过冷度为2. 5℃时,薄膜厚度极差可缩小至0. 5μm,0. 5 mm×0. 5 mm范围内薄膜相对于衬底的粗糙度增加量为9. 07 nm.
陆骏李东升吴军万志远宋林伟李沛张阳孔金丞
关键词:碲镉汞过冷度液相外延
碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应被引量:5
2018年
该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,高温汞蒸气对碲锌镉衬底中表面沉淀物尺寸无明显影响,但在衬底表面发现两种类型的腐蚀点,一种是尺寸为25μm左右的较大腐蚀点,分布较均匀;另一种是尺寸为7μm左右的圆形腐蚀点,分布不均匀.衬底经过液相外延薄膜成核生长前的温度变化过程以及高温Hg蒸气的作用,碲锌镉衬底表面形貌呈鱼鳞状,粗糙度增大了50%以上.
宋林伟吴军孔金丞李东升张阳李沛杨翔万志远黄元晋木胜
关键词:液相外延粗糙度
Hg_(1-x)Cd_xTe外延薄膜表面对红外透射光谱的影响被引量:1
2005年
利用傅里叶红外光谱仪测量液相外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜,发现未经腐蚀的原生薄膜材料红外透射光谱经本征吸收后有吸收边倾斜并伴有透射比值偏低的现象.对红外透射光谱的影响因素进行了分析,用扫描电子显微镜、电子探针及轮廓仪对样品表面腐蚀前后进行测试,结果表明腐蚀前后Hg1-xCdxTe薄膜表面(深度约1μm)汞含量和表面平整度的差别是导致这一现象的主要原因.运用带-带尾态之间的跃迁理论及表面散射对这一现象进行了解释.
张小雷孔金丞马庆华吴军杨宇姬荣斌
关键词:碲镉汞外延层红外透射光谱
碲镉汞(MCT)富汞液相外延技术综述
2019年
富汞LPE是唯一能以生长方式实现As掺杂并直接激活成受主的外延技术,可在富Te水平外延生长的外延薄膜之上生长出高组分厚度为1um-3um的p型覆盖层(Cap层)形成p-on-n型组分梯度异质结构碲镉汞材料,实现碲镉汞p-on-n型组分梯度异质结构的优化设计生长。从而优化碲镉汞探测器的性能,提高碲镉汞焦平面探测器的工作温度,降低组件的体积、重量和功耗,提高可靠性,为高性能红外热像仪的应用创造更多的领域。
毛旭峰宋林伟吴军张阳
P-on-n型碲镉汞像元级原位生长阵列探测器及其制备方法
本发明提供一种P‑on‑n型碲镉汞像元级原位生长阵列探测器,其特征在于它包括自下而上依次叠置的衬底材料层、n型吸收层、隔离像元的钝化隔离网格层、位于钝化隔离网格层的隔离网格内的阵列P型cap区、覆盖钝化隔离网格层和阵列p...
张阳孔金丞王文金起文斌左大凡王雪松孔令文黄钰赵文桂希欢陈姗吴军杨晋
降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途
本发明提供了一种降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途,包括带有楔形槽的石墨舟主体、楔形衬底承载件及固定螺栓;石墨舟主体为一正多面体,其前后左右四个面均设置有楔形槽,该楔形槽用于供楔形衬底承载件插入;楔形衬底...
张阳吴军孔金丞杨进宝李沛万志远木胜王宇婷龙云富方东姬荣斌
文献传递
液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善被引量:7
2014年
由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波碲镉汞材料(?1/2(77 K)=4.8?m)?x≤0.001,与国外水平相当。
吴军毛旭峰万志远李沛韩福忠
关键词:碲镉汞LPE
共3页<123>
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