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陈洁

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：北京七星华创电子股份有限公司更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇氮气
  • 2篇液膜
  • 2篇清洗工艺
  • 2篇去离子
  • 2篇去离子水
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶圆
  • 1篇声波
  • 1篇污染
  • 1篇污染物
  • 1篇无损伤
  • 1篇晶圆

机构

  • 3篇北京七星华创...

作者

  • 3篇刘效岩
  • 3篇陈洁
  • 1篇冯晓敏
  • 1篇吴仪
  • 1篇滕宇
  • 1篇刘伟

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
无损伤单晶圆兆声波清洗装置的研发被引量：2
2016年
在半导体制造中,随着集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆表面纳米颗粒污染物的无损伤清洗变得越来越具有挑战。介绍了一种自主研发的单晶圆兆声波清洗装置,利用石英微共振腔阵列对到达晶圆表面的兆声波能量进行控制。研究了不同工艺条件下该装置清洗后的颗粒去除效率,并与常规喷嘴的清洗结果进行比较。在图形损伤方面,采用该装置对具有40 nm线宽的多晶硅线条状栅极结构的图形晶圆进行了损伤测试,并与商业化的兆声波清洗装置的清洗结果进行对比。结果表明,该自主研发的装置能够在保证对晶圆表面图形结构没有损伤的前提下,有效地去除颗粒污染物,在40 nm及以下的半导体清洗工艺中应用前景广阔。
滕宇陈洁冯晓敏刘伟刘效岩吴仪
关键词：无损伤
一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法
本发明公开了一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法，通过将传统去离子水冲洗步骤改变为流量和转速不同的两个分步骤，先以较快的转速和较小的流量清洗以快速去除残留在硅片表面的反应产物及DHF，接着再继续以较小的转速和较大的...
陈洁刘效岩
文献传递
一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法
本发明公开了一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法，通过将传统去离子水冲洗步骤改变为流量和转速不同的两个分步骤，先以较快的转速和较小的流量清洗以快速去除残留在硅片表面的反应产物及DHF，接着再继续以较小的转速和较大的...
陈洁刘效岩
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