苗壮
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究被引量：5
- 2019年
- 基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器。为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导,对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃~325℃的变温热处理实验,着重分析了热处理后的BSI-CMOS图像传感器的光响应输出信号值、固定模式噪声(fixed pattern noise,FPN)、随机噪声及信噪比(signal-to-noise ration,SNR)随热处理温度的变化规律。实验结果表明:随着热处理温度的升高,样品器件的光响应输出信号值基本保持不变,当温度升高至325℃时,样品器件的固定模式噪声由32e.升高至246e.,随机噪声由51e.升高至70e.,信噪比由17.76dB降低至4.81dB,其中信噪比的降低主要归因于固定模式噪声的增大,热处理温度达到325℃会导致BSI-CMOS图像传感器信噪比明显降低。
- 王生凯靳川乔凯焦岗成程宏昌刘晖苗壮
- 关键词：热处理温度信噪比
- 电子轰击引起CMOS图像传感器增益衰减研究
- 2024年
- 为探究氧化铝钝化层结构的CMOS图像传感器在较高电流密度的电子轰击后电子倍增系数减小问题,本文模拟氧化铝钝化层CMOS图像传感器制备工艺方法。在晶向为(100),掺杂浓度为5×10^(18) cm^(-3)的P型硅表面制备氧化铝钝化层,模拟电子束轰击CMOS图像传感器的条件,对制备P型硅样品表面进行轰击,并利用高频C-U测试装置对该样品轰击前、后的高频C-U曲线进行测试。根据测试数据及SRH理论和少数载流子输运方程分析,得出电子轰击引起该型图像传感器钝化层内部正电荷沉积,以及硅界面缺陷态密度增加,是引起其电子倍增系数减小的内在原因。
- 闫磊石峰程宏昌苗壮苗壮樊海波韩剑焦岗成
- 关键词：暗电流图像传感器
- 采用GPU加速的压缩感知图像恢复算法被引量：1
- 2016年
- 压缩感知(Compressed Sensing,CS)的信号重构部分需要进行大数据量的计算,然而传统的CPU对大量的矢量计算并没有优势.为了解决这一问题,我们以CUDA作为并行计算架构,通过GPU-CPU并行编程技术,实现了三种快速高效的压缩感知图像恢复算法,包括正交匹配追踪OMP算法、两步阈值迭代TwIST算法和线性Bregman算法.
- 苗壮隋冬李棚艳柯钧
- 关键词：压缩感知CUDAGPU
