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高婷婷

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇重离子
  • 1篇重离子辐照
  • 1篇离子辐照
  • 1篇径迹
  • 1篇MOSFET
  • 1篇N

机构

  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇龚敏
  • 1篇袁菁
  • 1篇马瑶
  • 1篇王玲
  • 1篇苏凯
  • 1篇高婷婷

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究
2013年
重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响。文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹。基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验,发现辐照后Ids和Ig明显增大,分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因。
高婷婷王玲苏凯马瑶袁菁龚敏
关键词：重离子辐照径迹
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共1页<1>
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