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苏凯

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇曲率补偿
  • 2篇温度特性
  • 2篇模拟集成电路
  • 2篇基准电压
  • 2篇基准电压源
  • 2篇基准源
  • 2篇集成电路
  • 2篇工作温度
  • 2篇工作温度范围
  • 1篇重离子
  • 1篇重离子辐照
  • 1篇离子辐照
  • 1篇径迹
  • 1篇MOSFET
  • 1篇N

机构

  • 3篇四川大学

作者

  • 3篇龚敏
  • 3篇苏凯
  • 1篇袁菁
  • 1篇马瑶
  • 1篇王玲
  • 1篇高婷婷

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
多管组合曲率补偿低压带隙基准源
本发明属于模拟集成电路技术领域，其特征是提出了一种对带隙基准电压源进行曲率补偿的新方法，即多管组合技术。该技术是在现有的一阶带隙基准源的基础上，增加了可随工艺条件不同而改变n值的n对补偿电流支路，每一对都由一个以PMOS...
苏凯龚敏
65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究
2013年
重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响。文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹。基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验,发现辐照后Ids和Ig明显增大,分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因。
高婷婷王玲苏凯马瑶袁菁龚敏
关键词：重离子辐照径迹
多管组合曲率补偿低压带隙基准源
本发明属于模拟集成电路技术领域，其特征是提出了一种对带隙基准电压源进行曲率补偿的新方法，即多管组合技术。该技术是在现有的一阶带隙基准源的基础上，增加了可随工艺条件不同而改变n值的n对补偿电流支路，每一对都由一个以PMOS...
苏凯龚敏
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