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张豪尔

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：中国航空科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇硼
  • 2篇腔体
  • 2篇重掺杂
  • 2篇加热速率
  • 2篇硅片
  • 2篇感应线圈
  • 1篇多步
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇硼硅玻璃
  • 1篇谐振
  • 1篇谐振结构
  • 1篇结构层
  • 1篇扩散法
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇硅玻璃
  • 1篇硅
  • 1篇MEMS
  • 1篇掺杂
  • 1篇大厚度

机构

  • 4篇厦门大学

作者

  • 4篇张豪尔
  • 3篇占瞻
  • 3篇孙道恒
  • 3篇王凌云
  • 3篇杜晓辉
  • 2篇王申
  • 2篇蔡建法
  • 1篇何杰

传媒

  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种重掺杂硼硅片的再分布方法
一种重掺杂硼硅片的再分布方法，涉及一种重掺杂硼硅片。将重掺杂硼硅片放在托盘上，然后置于石英腔体中，关闭屏蔽箱门，旋转压紧密封机构；将石英腔体抽真空，通过气体进口和气体出口，对石英腔体内通入再分布所需气体；开启电源，通过电...
王凌云王申张豪尔杜晓辉蔡建法占瞻孙道恒
文献传递
一种重掺杂硼硅片的再分布方法
一种重掺杂硼硅片的再分布方法，涉及一种重掺杂硼硅片。将重掺杂硼硅片放在托盘上，然后置于石英腔体中，关闭屏蔽箱门，旋转压紧密封机构；将石英腔体抽真空，通过气体进口和气体出口，对石英腔体内通入再分布所需气体；开启电源，通过电...
王凌云王申张豪尔杜晓辉蔡建法占瞻孙道恒
文献传递
一种用于制备大厚度MEMS结构层的浓硼掺杂方法(英文)
2013年
在MEMS器件中,浓硼掺杂层通常为器件的结构层.但由于受表面固溶度及浓度梯度影响,该掺杂层(硼原子浓度≥5×1019cm-3)厚度越大所需的扩散时间越长.为了能在同等扩散工艺条件下,制备出更厚的浓硼掺杂层以满足器件要求,提出了多步扩散法.即在保证总的累计扩散时间不变的前提下,将传统的扩散过程分为两个相对短的扩散周期.并且这两个周期连续进行,每个周期各包含一次预扩散和再分布.与传统的两步扩散相比,多步扩散法可为硅基底引入更大量的硼杂质,并且具有一定能力使硼杂质留在一定深度范围内.因此该方法可以获得更大的有效节深.实验中采用该方法成功制备出21μm厚的浓硼掺杂层.然而在文献中提到的采用传统两步法在同样条件下得到的厚度则小于15μm.从而验证了该方法可在同等扩散工艺条件下,可以制备出更厚的浓硼掺杂层.
孙道恒张豪尔占瞻何杰杜晓辉王凌云
基于浓硼自停止腐蚀技术的硅微谐振结构的制备
浓硼自停止腐蚀技术作为一项重要的微机械加工手段在MEMS领域有着不可替代的地位，基于该技术获得的浓硼自停止层可直接作为微器件的结构层，其最突出的优点在于可以实现微器件及结构的精确加工，因而具有较高的实用价值。因此本文首先...
张豪尔
关键词：工艺参数
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