朱磊
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 射频高损耗硅基双互连线建模被引量：1
- 2006年
- 针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型。该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻Rs频率特性的制约。通过与全波分析方法对比,验证了在20 GHz范围内由该模型导出的互连线等效电感L、等效电阻R误差均在8%以内。该模型可望应用于硅基射频集成电路设计。
- 金香菊朱磊尤焕成王向展杨谟华
- 关键词：射频互连线趋肤效应
- 用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型
- 2007年
- 基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5～15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法。
- 朱磊尤焕成金香菊
- 关键词：GANHEMT小信号等效电路模型模拟退火算法MATLAB
- 基于复镜像理论与部分元的有耗互连线物理模型
- 针对高损耗衬底,基于复镜像理论,结合部分元等效电路法,建立了一种新的片上互连线物理模型。该模型考虑了趋肤效应和衬底损耗对互连线中串联电感L(f)和串联电阻R(f)频率特性的影响,并通过π等效电路结构计入了互连线寄生电容的...
- 尤焕成金香菊朱磊
- 关键词：物理模型
- 文献传递
- 2．4GHz CMOS功率放大器设计
- 本文系统分析了射频CMOS功率放大器的设计方法,并基于TSMC 0．35μm RF工艺设计了一种工作频率在2．4GHz, 电源电压为3．3V的三级CMOS功率放大器。仿真得到输出功率24dBm,漏级效率为40％,输入反射...
- 金香菊王向展尤焕成朱磊
- 关键词：射频集成电路功率放大器CMOS
- 文献传递
- 基于复镜像理论与部分元的有耗互连线物理模型
- 针对高损耗衬底,基于复镜像理论,结合部分元等效电路法,建立了一种新的片上互连线物理模型。该模型考虑了趋肤效应和衬底损耗对互连线中串联电感L(f)和串联电阻R(f)频率特性的影响,并通过π等效电路结构计入了互连线寄生电容的...
- 尤焕成金香菊朱磊
- 关键词：物理模型
- GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
- 2006年
- 设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和。当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽。该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据。
- 罗谦杜江锋罗大为朱磊龙飞靳翀周伟杨谟华
- 关键词：氮化镓表面态电流崩塌
