成建兵
- 作品数：58 被引量：44H指数：3
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 多普勒光纤速度传感器
- 针对通常激光多普勒测速系统采用各种分立的光学元件构成光路,系统结构复杂,体积庞大,测量速度范围窄的缺点.该文提出了一种基于多普勒频移的全光纤光路宽速度测量范围的测速传感器--多普勒光纤速度传感器.该文在方案上提出了通过对...
- 成建兵
- 关键词：多普勒频移优化设计
- 文献传递
- 一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件
- 本发明涉及一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，针对SCR结构，在N阱中添加PMOS结构，并将PMOS漏端与P阱相连接，在正向ESD脉冲下，PMOS较反向PN结更早击穿，并通过漏端P+将电流传递到P阱，...
- 陈珊珊成建兵吴宇芳王勃
- 文献传递
- 阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究
- 2017年
- 提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制,使得漂移区可以充分耗尽,提高了耐压。P区变掺杂可以提高N区浓度,降低了导通电阻。与常规二维类超结LDMOS结构相比,击穿电压提高了30%,导通电阻下降了10.5%,FOM提升了87.6%,实现了击穿电压与导通电阻的良好折中。
- 袁晴雯成建兵周骏陈珊珊吴宇芳王勃
- 关键词：击穿电压导通电阻
- 一种具有低EMI噪声的低阻空穴路径IGBT被引量：2
- 2022年
- 为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题,提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结,在开启过程中,较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出,呈现出低阻空穴路径,从而降低位移电流对栅极地充电,使得器件有较低的EMI噪声。仿真结果表明,在相同的开启功耗下,该结构相对于普通空穴路径的IGBT结构,能够明显降低器件的dIC/dt的最大值,抑制了器件的EMI噪声。
- 成建兵刘立强周嘉诚吴家旭李瑛楠
- 关键词：绝缘栅双极晶体管
- 一种LIGBT型高压ESD保护器件
- 本发明揭示了一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括堆叠设置的衬底层及埋氧层，埋氧层上方覆盖有漂移层，漂移层的上端设有漏极阱与源极阱，漂移层的上端面覆盖设置有多晶硅栅极，漂移层的上端形成有掺杂区，掺杂区位于漏极阱与源极阱...
- 田莉成建兵
- 文献传递
- 一种SOI‑LIGBT器件及其制备方法
- 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P...
- 周骏成建兵袁晴雯
- 基于40nm超大规模SoC芯片存储器测试电路设计与实现被引量：3
- 2017年
- 针对超大规模SoC(System on Chip)芯片中存储器的测试需求,首先分析存储器测试中存在的主要问题,包括新故障模型和新算法的需求、对电路性能的影响、以及测试成本的增加等。针对上述问题,存储器测试电路设计中,综合考虑PPA(Power Performance Area)等多个设计因素优化测试电路,包括BIST(Build-in-Self Test)电路布局、数量、时序、存储器布图规划等。最后在一款40 nm量产SoC芯片上,应用Mentor Graphics公司LV(Logic Vision)流程实现了测试电路设计,实验结果证明本方案的可行性和有效性。
- 陈冬明成建兵蔡志匡
- 关键词：可测性设计存储器测试内建自测试
- 一种内嵌双MOS触发的SCR-LDMOS型ESD保护器件
- 本发明公开了一种内嵌双MOS触发的SCR‑LDMOS型ESD保护器件，当ESD信号作用于新型SCR‑LDMOS结构阳极时，一方面，新结构中的双MOS结构(PMOS+NMOS)引入的P+/N‑buffer结取代了传统SCR...
- 成建兵张才荣周嘉诚刘立强
- 文献传递
- 一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制作方法
- 本发明涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的...
- 刘雪松成建兵俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
- 文献传递
- 一种新型双Fin ESD防护单元研究
- 2023年
- 为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构失效电流It2/Wlayout从21.67 mA/μm增加到28.33 mA/μm;触发电压V_(t1)从14.08 V减小到9.64 V。在ESD来临时,新结构能够实现有效的开启,泄放大电流。
- 成建兵周嘉诚刘立强张效俊孙旸
- 关键词：电导调制静电放电
